Gebraucht NANOMETRICS Orion #9217790 zu verkaufen

NANOMETRICS Orion
ID: 9217790
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2006
Overlay system 2006 vintage.
NANOMETRICS Orion ist eine bahnbrechende Masken- und Wafer-Inspektionsanlage, mit der Anwender Oberflächentopographie und geometrische Parameter einer breiten Palette von Halbleiterbauelementen messen können. Es ist die ideale Wahl für Hersteller, die Wafer und Masken mit einer extrem hohen Genauigkeit überprüfen müssen. Das Herzstück des Systems ist seine proprietäre Scan- und Abtasttechnologie, die hochauflösende Kameras und modulierte Lichtquellen verwendet, um Probeneigenschaften zu analysieren. Ein Vollbild-Bildsensor erfasst Bilder aus mehreren Ansichten der Probe mit hohem Kontrast. Die Einheit verwendet proprietäre Algorithmen, um die Bilder zu erfassen und zu analysieren, wodurch die Oberflächentopographie und die physikalischen Merkmale der Probe in kurzer Zeit hochauflösend charakterisiert werden. Orion verfügt auch über ein erweitertes Mehrkanal-Signalaufbereitungsmodul, mit dem die Maschine vier Oberflächenparameter gleichzeitig messen kann. Das Modul misst die Winkelebene von Flächenspitzen, vorstehende Flächenabschnitte, Dickenänderungen oder Abstand zwischen Spitzen von Flächenstrukturen. Sie misst auch die maximale Vorsprunghöhe der Oberflächenstruktur und Signalquerschnitte der Probe in mehreren Richtungen. Das Tool ist mit einer intuitiven grafischen Benutzeroberfläche ausgestattet, mit der Bediener schnell Tests einrichten, Messparameter auswählen, Beispielfunktionen messen und Ergebnisse in Echtzeit visualisieren können. Die Software bietet auch leistungsstarke Kalibrierwerkzeuge und eine Vielzahl von Werkzeugkonfigurationen. Alle Messungen, die mit NANOMETRICS Orion Maske und Wafer Inspektion Asset erhalten werden, verfügen über eine hohe Genauigkeit und Wiederholbarkeit. Das Modell wurde entwickelt, um die strengsten und anspruchsvollsten Anforderungen für Industrie- und Laboranwendungen zu erfüllen. Es bietet eine Komplettlösung für die Oberflächencharakterisierung von Masken und Wafern, einschließlich Topographie, SPI, SEM, AFM, SEM-EDX oder OWLS-Anwendungen.
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