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OXFORD VG 80
ID: 9121715
MBE System.
OXFORD VG 80 ist eine Hochleistungs-Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung für das Wachstum von III-V-Verbindungshalbleiterstrukturen. Unter Verwendung fortschrittlicher Technologien ist es speziell für die Abscheidung von spezialisierten Materialien mit genauer Kontrolle der Schichtdicke, Dotierungsebene, Zusammensetzung und Grenzfläche konzipiert. Das System besteht aus zwei Hauptkomponenten: der Quellkammer und der Wachstumskammer. Die Quellkammer ist mit Effusionszellen der MBE-Klasse, Ionenpistolen, Rollläden und anderen Komponenten ausgestattet. Diese optimierten Ultrahochvakuumkomponenten liefern einen extrem präzisen Dampffluss, um die Qualität der Abscheidung auf dem Substrat zu steuern. Durch die Verwendung mehrerer Quellen können Anwender eine hohe Kontrolle der Schichtzusammensetzung und -doping für benutzerdefinierte Materialien erreichen. Die zweite Komponente der Einheit ist die Wachstumskammer, die aus einer Hochtemperaturplatte mit einem Temperaturbereich von 300 ° C-900 ° C und einer ausgeklügelten automatisierten Substrathandhabungsmaschine besteht. Dieses Tool bietet die Möglichkeit, das In-situ-Wachstum von Dünnschichten und Mikrostrukturen zu überwachen. Darüber hinaus steht ein präzises RHEED-Asset zur Verfügung und ermöglicht es Anwendern, das Filmwachstum in Echtzeit zu überwachen. Das Modell ist auch mit einer Load Lock Ausrüstung zur Probeneinführung in die Vakuumkammer ausgestattet. Dies gewährleistet reibungslose und effiziente Be- und Entladevorgänge. Abschließend ist VG 80 eine vielseitige Plattform für das Wachstum optimierter III-V-Verbindungshalbleiterstrukturen und -materialien. Seine Komponenten ermöglichen eine präzise Kontrolle der Materialeigenschaften, so dass Anwender spezielle Materialien erstellen können, die genau auf ihre Bedürfnisse zugeschnitten sind. Als solches ist das OXFORD VG 80-System ein unschätzbares Werkzeug für Forscher der Halbleiterindustrie.
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