Gebraucht RIBER 2300 #9377151 zu verkaufen

RIBER 2300
Hersteller
RIBER
Modell
2300
ID: 9377151
Weinlese: 1981
Molecular Beam Epitaxy (MBE) system 1981 vintage.
RIBER 2300 ist eine molekulare Strahlepitaxie (MBE), die für Forschungs- und Produktionsanwendungen entwickelt wurde. Das System ist mit einer Ultrahochvakuumeinheit ausgestattet, die niedrige Restdrücke von unter 10-7 mbar aufrecht erhalten kann. Dies ist notwendig, um die reaktive Spezies effizient und ohne Reaktion mit den Kammerwänden in Kontakt bringen zu können. Die Maschine verfügt über eine temperaturgesteuerte pyramidale Suszeptor-Plattform, die ein Wachstum bei Temperaturen bis zu 1100 ° C ermöglicht. Das MBE-Tool bietet zudem eine effiziente Gaslieferung mit einer Vielzahl von Metall- und organischen Vorläufern für Wachstum. Die aktiven Gase werden durch thermische Cracker zur optimalen Strahlregelung in die Kammer eingespeist. 2300 verfügt über ein Wafer-Tracking-Modell mit Kollisionserkennung, um die verarbeiteten Materialien vor Kontamination zu schützen. Um die auf dem Substrat gewachsenen Schichten genau zu charakterisieren, ist das Gerät mit einem in-situ Röntgen-Photoelektron-Spektroskopie (XPS) -System ausgestattet. Dies ist maßgeblich an der Identifizierung der Wachstumsbedingungen und der Zusammensetzung der Schichten während des MBE-Wachstums beteiligt. Darüber hinaus ist RIBER 2300 mit einer GUI-gesteuerten, motorisierten Probenshuttling-Einheit ausgestattet, die ein effizientes Probenladen und -transport in und aus der Maschine ermöglicht. Dies unterstützt auch das Wachstum von mehrschichtigen Strukturen auf einem einzigen Substrat. 2300 umfasst auch Funktionen zur Prozessüberwachung und -steuerung, die eine Vielzahl von Wachstums- und Charakterisierungsverfahren automatisiert unterstützen, einschließlich MBE-Wachstums- und XPS-Analyse. Dieses Tool ermöglicht die Echtzeit-Überwachung und Steuerung der verschiedenen Variablen, die die Qualität der gewachsenen Schichten beeinflussen. Insgesamt ist RIBER 2300 Molecular Beam Epitaxy Asset ein fortschrittliches, voll ausgestattetes Modell für das Wachstum und die Charakterisierung von Dünnschicht- und Schichtstrukturen für eine Reihe von Forschungs- und Produktionsanwendungen. Mit seiner Fähigkeit, die Wachstumsparameter und seine in-situ XPS-Ausrüstung zur Charakterisierung zu überwachen und zu steuern, eignet sich dieses System gut für Untersuchungen einer Vielzahl elektronischer Strukturen.
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