Gebraucht RIBER 32 #9227851 zu verkaufen

Molekulare Strahlepitaxie (MBE) ist eine Technik, die verwendet wird, um hochwertige dünne Materialschichten auf einem Substrat anzubauen. RIBER 32 ist eine Art von MBE-Geräten, die zur Herstellung dünner, hochwertiger Schichten aus Halbleitermaterialien wie III-V und II-VI-Verbindungen verwendet werden. 32 ist sowohl mit thermischen als auch mit atomaren Materialquellen ausgestattet und kann Schichten in einem Temperaturbereich von Raum- bis Ultrahochvakuum wachsen. Die RIBER 32 besteht aus einer halbgeschlossenen Ultrahochvakuumkammer (UHV), die einen Elektronenstrahlverdampfer, einen Filetheizer und mehrere Elektronenmikroskope enthält. Der Verdampfer dient zur Verdampfung von Material aus festen Quellen, wie einer Festkörperquelle, und zur Erwärmung des Ausgangsmaterials auf die erforderlichen Temperaturen werden Filetheizer verwendet. Die Elektronenmikroskope dienen dazu, die Schichten beim Wachsen zu beobachten und zu analysieren. Das System wurde entwickelt, um ein extrem hohes Vakuumniveau (typischerweise zwischen 10-6 und 10-8 Torr), eine extrem saubere Umgebung und eine genaue Temperaturregelung und hochgleichmäßige Dünnschichtschichten bereitzustellen. Die UHV-Kammer ist mit In-situ-Diagnosesystemen (ESCA und XRD) und Kapazitätsmanometern zur präzisen Überwachung der Geräteparameter ausgestattet. 32 können dünne Filme hoher Qualität aus vielen Halbleitermaterialien wachsen, einschließlich Nitriden, Oxiden, Nitriden/Oxiden und anderen komplexen Legierungen. Die Maschine kann bei jeder Temperatur von Raumtemperatur bis Ultrahochvakuum (UHV) betrieben werden. Es ist in der Lage, eine überlegene Gleichmäßigkeit der Foliendicke über den Wachstumsbereich und sehr homogene Eigenschaften der abgeschiedenen Folien bereitzustellen. Darüber hinaus ist RIBER 32 mit einem Atomic Beam Tool (ABS) ausgestattet, um ein Wachstum atomar glatter Oberflächen zu ermöglichen, ideal für Anwendungen wie lichtemittierende OLEDs und Lichtwellenleiter. Das ABS fängt Moleküle des Zielmaterials ein und fokussiert einen Strahl über die Substrate, um die Kontaminations- und Wachstumsbedingungen aktiv zu steuern. Die erstklassige Leistung und hohe Zuverlässigkeit von 32 machen es zu einer idealen Wahl für den Anbau von Dünnschichtschichten aus vielen Halbleitermaterialien. Es bietet auch niedrige Kosten und erhöhte Produktivität macht es zu einem wichtigen Werkzeug in der Forschung und Herstellung von dünnen Schichten für moderne Elektronik.