Gebraucht RIBER 49 #9193092 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9193092
Wafergröße: 10"
Weinlese: 2001
MBE System, 10"
(10) Ports
Recovery module: Hg
Temperature range: 0-700°C
No cracker
Main chamber:
(2) CT-10 Cryopumps
With LN2 baffles
Large ion pump
Wafer manipulator
RHEED:
Gun
Screen
Transfer / Loadlocks:
Transfer chamber with outgas stage
(2) Loadlocks with cryopumps
Sources:
(3) Installed
(2) Additional (CdTe, Te, In, and Hg)
2001 vintage.
Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ist eine Art Vakuum-Abscheidungsprozess, der verwendet wird, um dünne Filme mit präzisen Schichten von Materialien zu erzeugen. RIBER 49 ist ein MBE-Gerät, das zur Abscheidung von Halbleiterelementen, Legierungen und Verbindungen wie Galliumarsenid, Indiumphosphid und Galliumnitrid zur Verwendung in optoelektronischen Bauelementen verwendet wird. 49 verwendet eine Quelle mit geschlossenem Hohlraum, die zwei Elektronenstrahlverdampfer und Auslässe für drei verschiedene Effusionszellen aufnimmt. Die beiden Elektronenstrahlquellen dienen zur Abscheidung von Metallen und anderen Materialien mit hohem Dampfdruck, wobei jede der drei Effusionszellen zur Abscheidung einzelner Bestandteile verwendet wird. Das System umfasst auch eine Ionenquelle, einen Quarzkristallkristalldickenmonitor, eine Probenheizstufe und einen Restgasmonitor. Darüber hinaus kann RIBER 49 auch mit einem Spektrometer verbunden sein, um die Zusammensetzung des abzuscheidenden Materials zu bestimmen. 49 verwendet eine magnetisch unterstützte Strahleinheit, um die Materialien auf die Substratoberfläche zu lenken. Die Magnete werden verwendet, um die Ausbreitung des Strahls zu reduzieren, so dass der Benutzer die Zusammensetzung und Dicke der abgeschiedenen Folie zu steuern. Das Material wird erhitzt, um es zu verdampfen, und das Substrat wird erhitzt, um die Anzahl der Defekte in der abgeschiedenen Folie zu verringern. Nach dem Aufbringen des Materials auf das Substrat wird die Dicke der Schichten durch den Quarzkristalldickenwächter gesteuert. Dieses Instrument verwendet einen Quarzkristall, um die Schwingungen des Substrats unterhalb des Strahls zu überwachen und regelt die Menge des Materials, das auf dem Substrat abgeschieden wird. Das Substrat kann auch mittels der Probenheizstufe manipuliert werden, wodurch das Substrat zur genauen Abscheidung des Materials in der Kammer gekippt, bewegt und wieder gekippt werden kann. Sobald die Materialien richtig abgeschieden sind, kann mit dem Restgasmonitor der Verschmutzungsgrad von Fremdpartikeln in der Abscheidekammer überprüft werden. Dadurch wird sichergestellt, daß nur die gewünschten Schichten abgeschieden werden und daß eventuelle Unvollkommenheiten aus dem Endprodukt entfernt werden. RIBER 49 ist eine fortschrittliche und präzise MBE-Maschine, die hauptsächlich zur Herstellung von Halbleiterbauelementen sowie optoelektronischen Bauelementen mit präzisen Schichten verwendet wird. Es kann verwendet werden, um metallische und nichtmetallische Materialien mit Leichtigkeit abzuscheiden, und die Fähigkeit, Materialzusammensetzung und Schichtdicke zu quantifizieren, macht es zu einer idealen Wahl für die Herstellung hochwertiger optoelektronischer Teile.
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