Gebraucht RIBER 49 #9383825 zu verkaufen

Hersteller
RIBER
Modell
49
ID: 9383825
Molecular Beam Epitaxy (MBE) System Growth chamber Cryopanel Platen manipulator Motorized beam flux gauge Inspection viewports and shutters Bakeout assembly Transfer gate valve CT 10 Secondary pumping system PF6 TITANIMUM Sublimation pumping system Cold finger Isolation gate valve Secondary vacuum measurement system Primary vacuum measurement system Roughing system Buffer chamber (Shuttle/Outgassing) equipment Outgassing station: 400°C Loading chamber equipment Unloading chamber equipment Residual gas analyzer, 1-200 amu RHEED System, 12 KeV Screen and shutter Controller: System control and network package PC FCA Parts Sources: (2) ABI 1000 Gallium effusion cells ABI 1000 Indium effusion cell (2) ABN 700 DF Aluminum effusion cells VAC 6000 Arsenic valved cracker cell (2) ABN 160 D Silicon dopant cells ABN 160 D Beryllium dopant celll KPC 1200 Phosphorus valved cracker cell Phosphorus recovery assembly (10) Source shutter assemblies (6) CF200/CF150 Dismountable source cooling panels CF200/CF150 Indium dismountable source cooling panel (3) CF150/CF100 Dismountable source cooling panels Accessories: Pyrometer pneumatic (5) Molybdenum platens, 3x4" (5) Molybdenum platens, 5x3" Molybdenum platen, 5x3" Plus, 2" (5) Molybdenum platens, 6" Ion pumping system Cryopanel lifting beam Adjustment tools for cell shutters Modline 7 V Pyrometer Non-contact Infrared thermometer Gaskets (2) Crucibles with spare kit for ABI 1000 cell (Ga) (2) Inserts with spare kit for ABI 1000 cell (Ga) Crucible for ABN 700 DF (Al).
Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ist eine fortschrittliche Dünnschicht-Wachstumstechnik, bei der chemische Dampfabscheidung (CVD) oder physikalische Dampfabscheidung (PVD) verwendet wird, um dünne Filme auf einer Waferoberfläche zu erzeugen. RIBER 49 ist eine hochmoderne automatisierte MBE-Maschine, die für das kostengünstige Wachstum ultradünner Folien ausgelegt ist. 49 verwendet die Reflective Interference Enhanced (RIE) Technologie, die die Inhomogenität der Abscheidungsrate minimiert und gleichzeitig die Substrattemperatur stabil hält. RIBER 49 bietet Multi-Source-Fähigkeiten und umfasst zwei Effusionszellen, eine Hochfrequenz (RF) -Plasmaquelle und eine massenanalysierte Ionenstrahlquelle. Durch die Verwendung der Multi-Source-Fähigkeit von 49 kann eine breite Palette von Verbindungen angebaut werden. RIBER 49 verfügt zudem über eine Substratheizung bis 500 ° C und ein integriertes Vakuumsystem für den Wachstumsprozess. Die Abschirmung von 49 gewährleistet eine optimale Umwelt- und elektrische Sicherheit mit einer Vakuumkammer, die die Luftverschmutzung beseitigen und die Probenkontamination unter akzeptablen Werten halten soll. RIBER 49 enthält auch ein fortschrittliches Echtzeit-Prozessüberwachungssystem, das Echtzeit-Feedback liefert und eine flexible Anpassung der Abscheidungsparameter ermöglicht. 49 ist mit einer Touchscreen-Schnittstelle ausgestattet, die Fernzugriff und Datenanalyse zur Überwachung des Wachstumsprozesses ermöglicht. RIBER 49 bietet ein hervorragendes Kristallwachstum bei niedrigen Substrattemperaturen und bietet die Möglichkeit, eine breite Palette von Kristallstrukturen anzubauen. Die Multi-Source-Fähigkeiten und die niedrige Betriebstemperatur ermöglichen die Abscheidung unterschiedlichster Materialien wie Oxide, Nitride und Metalle zu Heterostrukturen mit kontrollierten Grenzflächeneigenschaften. 49 ist ein vielseitiges MBE-System, das es Forschern ermöglicht, dünne Filme mit optimaler Leistung und hoher Gleichmäßigkeit auf verschiedenen Substraten abzuscheiden. Die niedrigen Substrattemperaturen und die Kompatibilität mit mehreren Quellen ermöglichen das Wachstum verschiedener Kristallstrukturen, wodurch Forscher Einblick in die Natur von Nanostrukturen erhalten. RIBER 49 bietet auch die Möglichkeit, den Prozess in Echtzeit zu überwachen, was eine schnelle Prozessoptimierung ermöglicht. 49 bietet somit eine leistungsstarke Lösung für Forscher, die die neuesten Fortschritte in der Material- und Geräteforschung verfolgen.
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