Gebraucht RIBER 49NT #9103304 zu verkaufen

RIBER 49NT ist eine Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) für die Forschung und Entwicklung von Halbleitermaterialien und -bauelementen. Es ist ein molekulares Abscheidungssystem, das Atome einzeln auf eine Substratoberfläche abscheidet, um dünne Schichten aus kristallinem Material zu bilden. Die Einheit besteht aus Abscheidungsquellen, einer automatisierten Schalungsmaschine und einer HF-Plasmaquelle. Das Werkzeug verfügt über zwei Module, die zwei verschiedene Arten von Effusionszellen enthalten, um mehrere Produkte gleichzeitig abzulegen. Die Hauptkomponente besteht aus vier Knudsen-Zellen (K-Zellen) zur sequentiellen Abscheidung von Ga und Al, die als Bausteine für III-V-Gruppen-Halbleitermaterialien dienen. Das zweite Modul enthält zwei Knudsenzellen (C-Zellen), wobei Te, Sb und In zur Bildung von Legierungen und Legierungen vom Typ II-IV abgeschieden werden. Ein automatisiertes RF-Schalungsmittel ist zur Steuerung von Rollläden zur Abscheidung von sowohl III-V als auch II-IV Materialien in beliebiger Reihenfolge vorgesehen. Eine Hochdruck-HF-Plasmaquelle hilft, den Basisdruck zu reduzieren und die Kristallqualität zu verbessern. In die Ausrüstung ist ein In-situ-Modell zur Überwachung des Kristallwachstums eingebaut. Zur Überwachung des In-Runenwachstums des Kristalls dient zur Qualitätskontrolle ein AFM, der in der Kammer montiert ist. Das System ermöglicht auch die Steuerung der kristallinen Orientierung (Eulerian) während des Kristallwachstums. Zusätzlich bietet das Gehäuse eine Abgaseinheit zur thermischen, optischen, optischen und elektrischen Charakterisierung der Probe. Die Maschine wurde entwickelt, um im Ultrahochvakuum mit einem Basisdruck von < 5 x10-11 Torr zu arbeiten. Der Temperaturbereich des Werkzeugs liegt zwischen RT und 1000˚C; ein eff-chamber ultra-high Vakuumheizer hilft, Temperaturen bis zu 1000˚C zu erreichen. Die Anlage ist auch mit einem Roboterarm ausgestattet, mit dem Wafer zwischen Modulen übertragen werden. 49NT wird in einer Vielzahl von Branchen eingesetzt, in denen Halbleitermaterialien und -bauelemente entwickelt und untersucht werden müssen. Es ist ein wesentliches Instrument für Forschungs- und Entwicklungsprojekte und gilt als eines der fortschrittlichsten MBE-Systeme auf dem Markt.