Gebraucht RIBER EVA 32 #9197264 zu verkaufen

RIBER EVA 32 ist ein fortschrittliches Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -System, das für das epitaktische Wachstum von hochwertigen anorganischen Materialien wie III-V, II-VI und Oxiden auf Substraten verwendet wird. Es ist in der Lage, atomare und Oberflächenkontrolle der Wachstumsstruktur des Materials. EVA 32 ist mit mehreren, unabhängigen, hochmodernen Kammern ausgestattet, die den maximalen Freiheitsgrad für das epitaktische Wachstum verschiedener Heterostrukturen und Nanostrukturen bieten. Das System ist eine Reihe von mehreren Ultrahochvakuum-Modulen, von denen jedes mit hochpräzisen, Niedertemperatur-Widerstandsheizungen ausgestattet ist. Die einzelnen Module umfassen die Hauptquellenkammer, zwei Effusionszellen, zwei ultraviolette Lichtquellen und unabhängige Temperaturregler. In jedem dieser Module können unterschiedliche Wachstumsparameter gesteuert werden, um ein präzises Wachstum von Nanostrukturen zu ermöglichen. Die Hauptquellenkammer ist die Primärkammer, die die Wachstumsfläche und die Quellmaterialien enthält. Die Substrathalter sind thermisch mit der Quellkammer gekoppelt und durch hochpräzise Niedertemperatur-Widerstandsheizungen beheizt. Die Hauptquellenkammer ist mit Sensoren ausgestattet, um verschiedene Parameter wie Temperatur, Druck, Zusammensetzung, Wachstumsrate usw. zu messen. Die beiden Effusionszellen sind in der Hauptquellenkammer angebracht und dienen zur Verdampfung von Materialien. Die Zellen sind senkrecht zur Wachstumsfläche positioniert und können die gesamte Oberfläche bedecken. Bei MBE-Wachstum enthalten die Effusionszellen die als Ausgangsmaterialien für den Epitaxieprozess verwendeten Materialien. Die beiden ultravioletten Lichtquellen sind in der Hauptquellenkammer senkrecht zur Wuchsfläche mit einstellbarem Neigungswinkel montiert. Diese Lichtquellen können ein breites Spektrum an Energieintensität bereitstellen, um die Wachstumsbedingungen zu manipulieren. Die Temperaturregler dienen zur Regelung der Wachstumstemperatur von Substrat und Material innerhalb der Hauptquellenkammer. Bei diesen Reglern handelt es sich um Widerstandsheizungen, die auf Temperaturen zwischen 300 und 800 Grad Celsius eingestellt werden können. Die Heizungen sind fein abgestimmt, um eine genaue Temperaturregelung zu erreichen und die gewünschten Wachstumsbedingungen zu gewährleisten. RIBER EVA 32 ist ein dediziertes MBE-System, das bei der hoch kontrollierten Herstellung von Heterostrukturen und Nanostrukturen helfen kann. Die vielen Module und die präzise Steuerung der Parameter bieten die ultimative Flexibilität bei der Herstellung hochwertiger Materialien.