Gebraucht VARIAN / INTEVAC GEN II #9168496 zu verkaufen

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ID: 9168496
Wafergröße: 3"
Molecular beam epitaxy (MBE) system, 3" Si, Ge, Ga, C (gas source) Growth of Si-compatible materials for optoelectronics (8) 4.5" Source ports.
VARIAN/INTEVAC GEN II Molecular Beam Epitaxy (MBE) Ausrüstung ist ein leistungsfähiges und vielseitiges Werkzeug für die Abscheidung von dünnen Schichten mit genau definierten Eigenschaften. Es wurde entwickelt, um einzigartige kristalline Strukturen im Nanometermaßstab für fortgeschrittene Geräteanwendungen zu erzeugen. VARIAN GEN II MBE-System nutzt Molekularstrahl-Technologie und bietet eine breite Palette von Gasquellen und Strahlenergien für das Wachstum einer Vielzahl von Materialien, einschließlich traditioneller und exotischer Verbindungen. INTEVAC GEN II MBE ist für bis zu sechs Quellen ausgelegt, von denen vier DC-Magnetronsputterquellen sind. Jede Magnetronquelle kann mit einer Vielzahl von Materialien wie Metallen, Isolatoren und Halbleiterverbindungen beladen werden. Darüber hinaus verfügt das Gerät über zwei Strahlquellen, die für exotischere Materialien wie Indiumphosphid geeignet sind. Jede Quelle kann auch über einen breiten Energiebereich von 50 bis 150 eV betrieben werden, um eine optimale Kontrolle der Abscheiderate und Materialqualität zu ermöglichen. GEN II MBE-Maschine verfügt über ein schnelles, flexibles Substrattransportwerkzeug, das bis zu zwölf Substrate mit 2 Zoll Durchmesser aufnehmen kann. Darüber hinaus kann die Anlage bis zu vier Substrate mit 3 Zoll Durchmesser für großflächige Abscheidungsanwendungen aufnehmen. VARIAN/INTEVAC GEN II MBE wurde entwickelt, um eine hochpräzise Wachstumskontrolle in Verbindung mit einer fortschrittlichen Benutzeroberfläche zu gewährleisten. Das Modell kann eine präzise Steuerung der Abscheiderate und Schichtdicke sowie der Zusammensetzung und Textur der abzuscheidenden Schicht ermöglichen. Neben den MBE-Funktionen verfügt VARIAN GEN II MBE auch über eine hochmoderne Online-Charakterisierungssuite. Diese Suite ermöglicht eine Dünnschichtanalyse und -auswertung durch eine Vielzahl von Techniken, einschließlich Röntgenbeugung (XRD), Atomkraftmikroskopie (AFM) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM), sowie Messungen elektrischer Eigenschaften. INTEVAC GEN II MBE Ausrüstung bietet ein leistungsfähiges Werkzeug für die Herstellung von fortschrittlichen Geräten und Strukturen mit Nanometer-Skala Präzision, gepaart mit erweiterten Charakterisierungsfähigkeiten. Durch die Kombination dieser Merkmale eignet sich das GEN II MBE-System für eine Vielzahl von Forschungs- und kommerziellen Anwendungen, insbesondere mit ultradünnen Schichten.
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