Gebraucht VARIAN / VEECO GEN 200 #9093517 zu verkaufen

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ID: 9093517
Wafergröße: 2" - 4"
MBE growth system, 2" - 4" Cluster tool Growth chamber Loadlock Prep / degas module Storage module Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption) Spare cryo panel Solid State Sources Layout: (3) Gallium SUMO (3) Aluminum (2 SUMO + 1 Conical) (1) Nitrogen plasma source with turbo pump (1) Arsenic valved cracker, MARK V (1) Phosphorus valved cracker (1) Indium SUMO (1) Silicon + CBr 4-gas line Growth chamber: UHV ultra high vacuum chamber Accepts up to 4x4”, 7x3”, 13x2” substrates Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption) Water cooled split-panel (ports area) Pyrometer Flux meter RHEED 30kV Quadruple mass spectrometer Growth Chamber Pump System: Ion pump (800 l/s) Turbo Pump (830l/s) Cryo Pump CT-10 Scroll-Pump Titanium sublimation pump Cluster Tool: Cryo Pump Quadruple mass spectrometer Loadlock: (8) Platens Cryo Pump Lamp Heating up to 120°C Platens: 7 x 3", 14 x 2" Does not require LN2 phase separator Documentation available Gas delivery line: Port 7 Gas dopant: CBr4 Materials (MBE grade): Aluminium Gallium Indium Silicon CBr4 Arsenic Phosphorous Nitrogen Substrates: GaAs.
VARIAN/VEECO GEN 200 ist eine Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung, die zur Herstellung von Halbleiterbauelementstrukturen verwendet wird. Es ist ein modulares, mehrzoniges Niedertemperatursystem, das eine atmosphärengesteuerte Ultrahochvakuumumgebung zur präzisen Abscheidung von hoch kontrollierten Epitaxiefolien bietet. Die Einheit manipuliert und transportiert atomare oder molekulare Strahlen von wärmeverdampften Vorstufen und Dotierungsquellen zu einem Substratwafer, der je nach Abscheidungsmaterial erwärmt oder gekühlt werden kann. Dies ermöglicht eine qualitativ hochwertige Abscheidung von Materialien bis auf atomare oder molekulare Ebene bei sehr geringer unbeabsichtigter Einarbeitung von Verunreinigungen. Die Hauptkomponenten der VEECO GEN 200-Maschine sind die Molekularstrahl-Epitaxiekammer, die das Ultrahochvakuum liefert, sowie die chemische Quelle und der Erguss-Tag. Die Vakuumkammer nutzt zwei getrennte Kammern; eine für Wafer-Handhabung und eine für Wafer-Abscheidung. Der Quell- und Effusionstag enthält thermische Quellen für die ternäre, quartäre und Pentenry-Abscheidung und ist mit Rollläden zur genauen und präzisen Abscheidekontrolle ausgestattet. Ein mehrstufiges rotierendes Verschlusswerkzeug für jede Quelle sorgt für die gewünschten Abscheidebedingungen. Eine integrierte elektronische Heizeinrichtung sowie ein automatisiertes Wafer-Kühlmodell erlauben es, die Substrate je nach aufgebrachtem Material zu erwärmen oder zu kühlen. VARIAN GEN 200 verfügt über eine robuste Automatisierungssoftware mit manuellen/automatischen Betriebsarten für das Wafer-Handling. Es bietet eine genaue Kontrolle über jeden MBE-Prozess, einschließlich Parametereinstellung, Aufzeichnung und Protokollierung. Das Software-Engineering ermöglicht personalisierte Rezepte, eine effizientere Verarbeitung und eine bessere Datenanalyse. Es kann auch mit einem externen Controller für zusätzliche Funktionen wie Waferbelastung, thermische Quelle, Kühlung, Verschlusskontrolle und automatische Rückkopplung und Steuerung der Abscheiderate verbunden werden. GEN 200 System bietet zuverlässige, genaue Abscheide- und Geräteherstellungsprozesse. Seine ultrahohe Vakuumatmosphäre gewährleistet eine hoch kontrollierte Abscheidung von Epitaxiefolien mit präziser Temperaturkontrolle, maximaler Abscheiderate, Gleichmäßigkeit und Profil des abgeschiedenen Materials und minimaler unbeabsichtigter Einarbeitung von Verunreinigungen. Diese Einheit vereinfacht die Molekularstrahl-Epitaxie-Prozesse und ist damit eines der effizientesten und zuverlässigsten Systeme für die Geräteherstellung.
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