Gebraucht VARIAN / VEECO GEN II #9232278 zu verkaufen

VARIAN/VEECO GEN II ist eine fortschrittliche Molekularstrahl-Epitaxie (MBE), bestehend aus einer Wachstumskammer, einem Verdampfer, einem Gasfördersystem und einer Steuereinheit. Die Wachstumskammer besteht aus Edelstahl und hat einen Basisdruck von 10-10 Torr. Diese Kammer ist groß genug für bis zu 8 Substrate und für den Fluss von Maschinengasen, wie Sauerstoff und Wasserstoff. Der Verdampfer hat mehrere unabhängige Quellen und wird temperaturüberwacht. Die Quellen können auf bis zu 1200 ° C erwärmt werden und werden jeweils durch eigene Temperaturregler gesteuert. Das Gasförderwerkzeug ist für die Handhabung von bis zu dreizehn Gasen ausgelegt und ermöglicht eine automatische manuelle Steuerung der Gaspartialdrücke über einen Proportionalregler. Die Gaslieferanlage ist für eine einheitliche Gasverteilung ausgelegt. Schließlich kann die experimentelle Modellsteuereinheit die Wachstumsrate, die Stickstoffdotierung, Linearität und Gleichmäßigkeit der Abscheidung, Homogenität der Schicht steuern und alle Parameter wie Wachstumsrate und p-dotierte Spezies überwachen. VEECO GEN II ist für hochwertiges, reproduzierbares Halbleiterwachstum auf bis zu 8 Substraten mit MBE-Technologie konzipiert. Es wird für eine breite Palette von Anwendungen verwendet, von der Entwicklung von speziellen Materialien bis zur Herstellung der anspruchsvollsten Quantengeräte. Es ist ideal für die Abscheidung von III-V-Materialien, wie Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP), für eine hochwertige Schichtabscheidung. Es wird auch für Dotierungsschichten und epitaktische Strukturierung verwendet. Die Gasförderausrüstung ist so konzipiert, dass sie schnell zwischen 8 Gasen umschaltbar ist, was eine verbesserte Prozessflexibilität sowie Wachstumsprozesse bei niedrigen Temperaturen ermöglicht. Insgesamt ist VARIAN GEN II ein professionelles MBE-System, das auf Effizienz, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit ausgelegt ist. Es bietet die Funktionen und Spezifikationen, die für erweiterte MBE-Prozesse erforderlich sind. Seine breite Palette von Abscheidungsparametern, überlegene Steuerungsfähigkeiten und Flexibilität macht es zu einer idealen Wahl für die fortschrittliche MBE-Forschung und -Entwicklung von Halbleiteranwendungen.