Gebraucht VARIAN / VEECO GEN II #9243569 zu verkaufen

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ID: 9243569
MBE System Reactor: Horizontal Single RHEED gun Wafer transfer: Manual Load lock Monitoring equipment: Ion gauges Molly control unit Gases: GaAs, InGaAs, AlGaAs Dopants: Si, Be Vacuum: LL Cryo pump LL Ion gauge LL Degas station BC IGP BC Ion gauge BC Substrate heater GC IGP GC Ion gauge Gate valve Cryo - GC Gate valve GC - BC Gate valve BC - LL Gate valve LL - Cryo2 Transfer rods Sources: (7) Shutters (With shutter motor rack) Beam flux monitor Electronic rack: Ion gauge controller GC/BF Ion gauge controller BC/LL Controls: Desktop computer Communication unit Removed parts: All cells crackers RHEED RGA Al / Ga / In / Si / Be Effusion cell Electronic control units EUROTHERM Control / Power supply units CAR Manipulator.
VARIAN/VEECO GEN II ist eine Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung, die zur Herstellung von hochwertigen, ein- oder mehrschichtigen Kristallfilmen aus Halbleitermaterialien auf Substraten verwendet wird. Es verwendet eine Ultrahochvakuum (UHV) -Kammer und besteht aus Komponenten wie drei Effusionszellen, einem E-Strahl-Verdampfer, einem Gaseinspritzsystem, einer Substrat-Sputterpistole, einer Strahlformungseinheit, einem Quarzkristallmonitor und einer Lastsperre. Mit den Effusionszellen wird das Substrat auf die erforderliche Wachstumstemperatur angehoben und während des Wachstumsprozesses auf einer konstanten Temperatur gehalten. Der E-Strahl-Verdampfer dient dazu, das Ausgangsmaterial zu verdampfen und zum gewünschten Bereich auf dem Substrat zu transportieren. Die Gaseinspritzmaschine dient dazu, Gase in die Kammer einzuspritzen, um die Wachstumscharakteristik des Materials zu beeinflussen. Die Substratsputterpistole dient zur Reinigung des Substrats vor dem Aufwachsen und dient auch zur Abscheidung einer dünnen Materialschicht auf dem Substrat. Mit dem Balkenformwerkzeug wird das Profil des Balkens gesteuert. Mit dem Quarzkristallmonitor wird die Dicke des abzuscheidenden Kristallfilms gemessen. Das Lastschloß wird verwendet, um Wafer in und aus der Kammer zu übertragen, während der UHV intakt bleibt. VEECO GEN II MBE Asset ist in der Lage, hochwertige, ein- oder mehrschichtige Kristallfolien in einer kontrollierten Umgebung zu produzieren und kann Drücke bis zu 5 x 10-10mbar aufrechterhalten. Das Modell ist auch mit benutzerfreundlicher Software ausgestattet, die eine einfache Bedienung und präzise Steuerung der Wachstumsparameter wie Substrattemperatur, Gasfluss und Strahlparameter ermöglicht. Die Software ermöglicht die Automatisierung von Wachstumsprogrammen, um die Prozesseffizienz und Genauigkeit zu maximieren. Insgesamt ist VARIAN GEN II MBE-Systeme eine ausgezeichnete Wahl für die Herstellung hochwertiger, ein- oder mehrschichtiger Kristallfolien für den Einsatz in verschiedenen elektronischen und optoelektronischen Anwendungen. Seine fortschrittlichen Kontrollmechanismen und präzisen Wachstumsparameter sorgen für präzise und konsistente Ergebnisse. Mit seiner benutzerfreundlichen Software und der automatisierten Wachstumsprogrammfähigkeit ist es einfach zu bedienen und effizient, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen.
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