Gebraucht VARIAN / VEECO GEN II #9257205 zu verkaufen

VARIAN/VEECO GEN II ist eine Art molekularer Strahlepitaxie (MBE) und wird zur Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet. Dieses System verwendet eine Hochvakuum-Umgebung, um einen Teilchenstrahl zu erzeugen, der manipuliert werden kann, um extrem dünne Schichten aus Halbleitermaterial zu erzeugen. Die Einheit kann verwendet werden, um kleine, präzise Schichten zu schaffen, die beim Aufbau von Geräten wie Transistoren und Solarzellen verwendet werden. VEECO GEN II besteht aus einer Großrechnerstruktur, die zwei große Abscheidungsquellen beherbergt - auch als Effusionszellen bekannt. Diese Zellen werden verwendet, um die Molekülstrahlen zu erzeugen, mit denen eine Materialschicht auf eine Substratoberfläche (das zu beschichtende Objekt) abgeschieden wird. Die Abscheidungsquellen können auf sehr hohe Temperaturen erwärmt werden, um Strahlen aus Hochtemperaturmolekülen zu erzeugen. VARIAN GEN II verfügt über eine Pumpmaschine, die eine Turbomolekularpumpe betreibt, so dass das Vakuum innerhalb des Großrechners auf einem sehr niedrigen Niveau (weniger als 10-6 mbar) gehalten wird. Dies ist ein wichtiges Merkmal, um eine gute Homogenität des Abscheidematerials zu gewährleisten. Das Werkzeug besteht auch aus mehreren weiteren Bauteilen, wie einer Strahllenkung, einer Blende, einer Steuerung und einer Schaufel; alle, die verwendet werden, um den Strahl der Moleküle zu manipulieren und zu dem gewünschten Substrat zu lenken. Die Geschützschaufel ermöglicht es dem Asset, die erforderlichen Richtungswinkel zu erreichen. Der Verschluss steuert die Geschwindigkeit des Strahls und kann eingestellt werden, um die Abscheidegeschwindigkeit zu ändern. Das Modell ist auch mit einer computergestützten Überwachungs- und Kontrollstation ausgestattet. Diese Station wird verwendet, um die Bedingungen innerhalb des Großrechners wie das Vakuumniveau und die Temperatur der Abscheidungsquellen zu überwachen. Diese Station hat auch die Möglichkeit, die Geräteparameter wie die Strömung des Strahls, die Heizpegel der Abscheidungsquellen und die Verschlussgeschwindigkeit des Strahls zu steuern. GEN II ist das perfekte System zur Herstellung von empfindlichen, kleinen und präzisen Schichten aus Halbleitermaterialien. Die Flexibilität der Einheit und ihre schnelle Abscheiderate ermöglichen es, wenige Nanometer dicke Schichten zu erzeugen. Die Präzision und Qualität dieser Schichten ist der Schlüssel zum erfolgreichen Aufbau der heute eingesetzten modernen Halbleiterbauelemente.