Gebraucht VARIAN / VEECO GEN III #9239247 zu verkaufen

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ID: 9239247
Wafergröße: 4"
MBE System, 4" Substrate temperature: 1000⁰C Materials used: Gallium Indium Aluminum Silicon Beryllium Arsenic Phosphorus (12) Shutter ports Aluminum sumo source Gallium or Indium sumo source Valved cracking effusion cell (2) 5cc Dopants (3) Gallium or Indium sumo sources Vacuum reading: Expect vacuum level: -10’s to 9e-11 torr range Substrates used: Silicon Gallium Arsenic Indium Phosphorus.
VARIAN/VEECO GEN III ist ein fortschrittliches Molekularstrahl-Epitaxiesystem (MBE), das zur Abscheidung dünner Halbleiterfilme auf verschiedenen Substraten verwendet wird. Es besteht aus vier Kammern, die miteinander verbunden und konfiguriert sind, um Niedertemperatur-Homoepitaxiewachstum, Oxide und Nitride und andere fortschrittliche epitaktische Prozesse durchzuführen. Die erste Kammer beherbergt eine Multi-Debugger-Quelle. Es ist mit bis zu sechs horizontalen oder Debugsources ausgestattet, die einzeln isoliert werden, um eine Kontamination des Substrats durch andere Materialien zu verhindern. Die Mehrfachquellen können in Strom, Leistung und Frequenz entsprechend dem gewünschten Abscheidevorgang variiert werden. Diese Kammer ist auch mit dem notwendigen Quellenzubehör wie einem Elektronenstrahlverschluss, Hitzeschildern und Shottky-Suppressoren ausgestattet. Die zweite Kammer enthält den Substrathalter, der eine vertikal rotierende Baugruppe ist, die bis zu vier Substrate aufnehmen kann. Es beherbergt auch eine Lastverriegelung und Probe kann auf Temperaturen zwischen -100 ° C und 800 ° C erhitzt werden, um fortschrittliche Wachstumsprozesse zu ermöglichen. Zwei abgeschaltete Manipulatoren und ein Hauptverschluss dienen zur Abschirmung des Substrats, während ein Nivellierer eine gleichmäßige Substraterwärmung gewährleistet. Die dritte Kammer ist die mit einem Heizfaden, acht Gasinjektoren und einer Kryopumpenleitung ausgestattete Wachstumskammer. Das Filament soll die notwendige Energie für Wachstumstemperaturen zwischen 300 und 900 ° C liefern. Die Gasinjektoren sind mit einer Gasplatte verbunden, die zur Zuführung von Quell- und Dotierungsgasen in die Wachstumskammer dient. Die Kryopumpenleitung dient zur Aufrechterhaltung eines niedrigen Hintergrunddrucks durch Abpumpen von Restgasen. Die vierte Kammer ist die Ergebniskammer, in der der resultierende Dünnfilm charakterisiert ist. Diese Kammer ist mit einem Quadrupol-Massenspektrometer (QSMS) zur Artenidentifizierung und einem Restgasanalysator (RGA) zur Zusammensetzungsanalyse ausgestattet. Es enthält auch eine automatisierte Probentransferstation zur Untersuchung von Wafern in einer separaten Photomikroskopkammer. VEECO GEN III ist ein fortschrittliches MBE-System, das für Operationen und Forschungszwecke entwickelt wurde. Die Mehrfachkammern, die hochmodernen Komponenten und die Verfügbarkeit fortschrittlicher Wachstumsprozesse machen dieses System ideal für die Abscheidung mit hohem Durchsatz und die Prozessentwicklung.
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