Gebraucht VEECO GEN 2000 #9281809 zu verkaufen
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ID: 9281809
MBE System
Process: GaAs
Chamber: AlGaIn AsSb, Be, Si, CBr4, plasma source
RHEED
K-Space cameras.
Eine VEECO GEN 2000 ist eine Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung, die hauptsächlich zum Anbau dünner Filme aus Halbleitermaterialien verwendet wird. Das System besteht aus mehreren Komponenten wie Kammer, Abscheidequellen, Verschluss, Netzteilen, Vakuumpumpen und einer Computersteuerung. Die Kammer besteht aus Edelstahlmaterial mit einem rauen Vakuumdruck zwischen 10-5 und 10-7 Torr und einem Arbeitsdruck von 10-8 bis 5x10-10 Torr. Es wurde entwickelt, um eine hochwertige Folien und homogene Schichten Abscheidungen zu gewährleisten. Das Gerät verfügt über drei Arten von Abscheidungsquellen, nämlich Wärmeverdampfung, Elektronenstrahlverdampfung und Molekularstrahlepitaxie. Die Wärmeverdampfung ist die einfachste Form der Abscheidung, bei der ein Metallmaterial erhitzt wird, das anschließend zur Freisetzung von Atomen zu einer dünnen Schicht auf dem Substrat führt. Andererseits verwendet die Elektronenstrahlverdampfung zur Dissoziation eines molekularen Materials einen Elektronenstrahl, der die Freisetzung von Atomen induziert, die auf der bevorzugten Oberfläche abgeschieden werden. Der Hauptvorteil der Elektronenstrahlverdampfung ist die Fähigkeit, höhere Temperaturen zu erreichen. Schließlich gilt die Molekularstrahl-Epitaxie als eine der fortschrittlichsten Abscheidungstechniken. Bei dieser Technik wird die Freisetzung von Atomen durch Aktivierung eines Molekülstrahls mit Energiefluss induziert. Dies ist das genaueste und gleichmäßigste Abscheideverfahren der drei und eignet sich ideal für qualitativ hochwertige dünne Schichten, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen benötigt werden. GEN 2000 enthält auch einen Verschluss, der zur Steuerung der Abscheiderate verwendet werden kann, und ein automatisiertes Netzteil, das zur Steuerung der Abscheidungsquellen verwendet wird. Zur Regelung der auf das Substrat aufgebrachten Materialmenge kann der Verschluss mit einem Elektromagneten geöffnet und geschlossen werden. Zusätzlich kann die Stromversorgung zur Einstellung der Energieniveaus der Abscheidungsquellen verwendet werden, um die Schichtabscheiderate zu optimieren. VEECO GEN 2000 enthält auch eine Computersteuerung, die zur Steuerung jeder der Komponenten in der Maschine verwendet werden kann. Die Steuerung ist mit einer Schnittstelle zur Eingabe von Anwenderparametern wie Abscheidungsquelle, Schichtdicke, Substrattemperatur und Druck ausgestattet. Zusätzlich überwacht der Regler jeden der Prozesse am Werkzeug, um sicherzustellen, dass bei der Abscheidung höchste Qualität erzielt wird. Abschließend ist GEN 2000 eine fortschrittliche Molekularstrahl-Epitaxie, die eine zuverlässige, qualitativ hochwertige und homogene Schichtabscheidung bietet. Durch die Verwendung seiner drei verschiedenen Abscheidungsquellen kann dieses Modell eine Vielzahl von dünnen Schichten für die Halbleiterbauelementherstellung mit Leichtigkeit erzeugen. Zudem sorgt die benutzerfreundliche Computersteuerung dafür, dass alle Prozesse unter Kontrolle sind und höchste Qualität erreicht wird.
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