Gebraucht VEECO Gen II #293773662 zu verkaufen

ID: 293773662
Wafergröße: 3"
Weinlese: 1982
Molecular Beam Epitaxy (MBE) system, 3" Materials: Al, Ga, In, GaTe, Be, As, Sb Auxiliary chamber Growth chamber: (2) Shrouds / 8-Cell ports Manual wafer transfer Manual valve Load Lock chamber Water cooled manipulator with heater, 3" (8) Effusion cells, 2" (4) Upward looking effusion cells InALGaAs with Si / Be (3) Ion pumps (2) Cracker Cells (2) Automated valve positioners (2) Ion pumps / Controllers (3) Sorption pumps QMS 6-Wafer load lock O2 Plasma source Cracker cells: H2S, H2S3 EUROTHERM Temperature controller PC 1982 vintage.
VEECO Gen II Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) Ausrüstung ist ein fortschrittliches Dünnfilm-Abscheidungswerkzeug, das für das epitaktische Wachstum von Verbundhalbleitermaterialien mit hoher Präzision, Reinheit und Kontrolle konzipiert ist. MBE ist eine Schlüsseltechnik zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, die das Wachstum ultradünner Materialschichten mit atomarer Präzision ermöglicht. Gen II-System ist die zweite Generation von MBE-Systemen, die von VEECO Instruments Inc., einem führenden Anbieter fortschrittlicher Dünnschichtabscheidungs- und Messlösungen, entwickelt wurde. Aufbauend auf dem Erfolg der ursprünglichen Gen I-Einheit bietet VEECO Gen II verbesserte Leistung, erweiterte Funktionen und verbesserte Zuverlässigkeit für hochmoderne Forschungs- und Produktionsanwendungen. Eines der Hauptmerkmale der Gen II-Maschine ist die Ultrahochvakuum (UHV) -Umgebung, in der der epitaktische Wachstumsprozess stattfindet. Die UHV-Umgebung ist wesentlich, um das Vorhandensein von Verunreinigungen und Verunreinigungen zu minimieren und die hohe Reinheit der abgeschiedenen dünnen Filme zu gewährleisten. Das Werkzeug ist mit einer ausgeklügelten Pumpanlage ausgestattet, einschließlich Kryopumpen und Ionenpumpen, um die erforderlichen Vakuumwerte für MBE-Prozesse zu erreichen und aufrechtzuerhalten. VEECO Gen II-Modell verfügt auch über eine Hochtemperatur-Effusionszelle, die verwendet wird, um elementare Quellen wie Arsen, Gallium und Indium zu verdampfen. Diese Elementarquellen werden in Form von festen Stäben oder Pulvern zugeführt, die in der Effusionszelle erwärmt werden, um einen molekularen Atomstrahl zu erzeugen, der auf der Substratoberfläche zu den epitaktischen Schichten kondensiert. Die Effusionszellen-Temperatur kann genau gesteuert werden, um den Materialfluss einzustellen und die Wachstumsbedingungen für bestimmte Materialkombinationen und Schichtstrukturen zu optimieren. Darüber hinaus ist die Gen II-Ausrüstung mit mehreren Rollläden und Strahlflußwächtern zur Steuerung der Abscheiderate und Dicke der epitaktischen Schichten ausgestattet. Die Rollläden werden verwendet, um die Molekülstrahlen selektiv zu blockieren oder zu erlauben, das Substrat zu erreichen, was eine genaue Kontrolle des Wachstumsprozesses ermöglicht. Die Strahlflussüberwachung liefert Echtzeit-Rückkopplung auf den Fluss und die Gleichmäßigkeit des abgeschiedenen Materials, was eine genaue Überwachung und Anpassung der Wachstumsparameter ermöglicht. Das VEECO Gen II-System verfügt über eine umfassende Steuerungs- und Überwachungseinheit, mit der Anwender komplexe Wachstumsrezepte einfach erstellen und ausführen können. Die Maschine ist mit einer benutzerfreundlichen Schnittstelle zur Programmierung von Wachstumssequenzen, Einstellung von Abscheideparametern und Überwachung wichtiger Prozessvariablen in Echtzeit ausgestattet. Fortschrittliche Software-Algorithmen ermöglichen eine automatische Optimierung der Wachstumsbedingungen, um gewünschte Materialeigenschaften und Geräteleistungen zu erreichen. Insgesamt stellt das Molekularstrahl-Epitaxiewerkzeug Gen II ein hochmodernes Werkzeug für Forscher und Gerätehersteller dar, die qualitativ hochwertige Halbleitermaterialien und -bauelemente mit präziser Kontrolle über Materialzusammensetzung, Schichtdicke und Kristallqualität entwickeln möchten. Seine fortschrittlichen Eigenschaften, hohe Zuverlässigkeit und benutzerfreundliche Schnittstelle machen es zu einem wertvollen Kapital für eine breite Palette von Forschungs- und Produktionsanwendungen in den Bereichen Nanotechnologie, Optoelektronik und Halbleitergerätetechnik.
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