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VEECO Gen II
ID: 293821248
Molecular Beam Epitaxy (MBE) system.
VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy (MBE) ist ein hochentwickeltes Mehrbenutzer-Abscheidungssystem zur Dotierung und Abscheidung einer Vielzahl von Halbleitermaterialien. Diese hochmoderne MBE-Einheit ermöglicht eine präzise Steuerung der Abscheidungsumgebung zur Erzielung hochwertiger Schichten mit ausgezeichneter Reproduzierbarkeit. Diese Maschine ermöglicht die Abscheidung von hochwertigen und gleichmäßigen Schichten von Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid und Indiumgalliumarsenid. Der Abscheidevorgang wird in einer Vakuumkammer durchgeführt, wo das abzuscheidende Substrat auf einen beheizten Halter gelegt wird. Drei Arten von effusiven Zellen, hergestellt von Caesars werden mit dem Werkzeug verwendet; ein Arsen, ein Gallium und eine Indiumzelle. Die Kombination dieser drei Zellen gibt dem Anwender die Flexibilität, komplexe und spezialisierte Dünnschichtstrukturen zu schaffen. Der Basisdruck der MBE-Anlage wird auf 4-6 x 10-7 mbar gehalten, und es wird ein separates Lastschloßmodell verwendet, um den Druck vor dem Einsetzen in die Vakuumkammer weiter zu reduzieren. Zusätzlich enthält die Anlage eine thermische Oxidationseinheit, einen Ozongenerator und zwei Stickstoffleitungen, um die Oberflächenvorbereitung und Wachstumsverbesserung zu unterstützen. Der Substrathalter wird elektrisch beheizt und mit einer Reihe von Thermoelementen temperaturgeregelt, wodurch gleichmäßige Temperaturen auf allen Bereichen der Probe erzielt werden können, wodurch eine Präzisionsregelung für die Dünnschichtabscheidung gegeben ist. Die voreingestellten Temperaturen reichen von 200 K bis 1.000 K. Darüber hinaus verfügt VEECO GEN II über ein modernes Softwarepaket, das eine Vielzahl nützlicher Funktionen zur Steuerung des Quellenemissions- und Abscheideprozesses bietet. Die Software umfasst einen umfassenden Satz von Werkzeugen zur Simulation von Wachstumsprozessen, zur Definition von Schichtstrukturen und zur Durchführung verschiedener Parameterberechnungen. Mithilfe leistungsstarker parametrischer Optimierungsfunktionen können Anwender auch detaillierte Simulationen ihrer Dünnschichtstrukturen entwickeln, um die Leistung ihrer Proben zu maximieren. Es ermöglicht Benutzern auch, grafische Benutzeroberflächen zu erstellen, um ihnen eine bequeme Möglichkeit zum Einrichten und Überwachen von Experimenten zu bieten. VARIAN GEN II MBE-System wurde entwickelt, um eine breite Palette von wissenschaftlichen und industriellen Anforderungen zu erfüllen, so dass Benutzer ihre Forschungsanwendungen auf die nächste Ebene zu bringen. Diese fortschrittliche Einheit ist in der Lage, qualitativ hochwertige Ergebnisse zu erzielen und bietet die Flexibilität, verschiedene Materialien atom für Atom zuzuordnen, um komplexe Dünnschichtstrukturen zu schaffen.
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