Gebraucht VEECO Gen II #9194612 zu verkaufen

VEECO Gen II
ID: 9194612
Wafergröße: 3"
MBE Growth system, 3" AlGaAs Laser InGaAsP Vacuum: Growth chamber (GC) Triode ion pump: 400 l/sec Buffer chamber (BC) Triode ion pump: 200 l/sec (2) TSP Controllers Loadlock chamber (LC) (100) CTI Cryotor cryopumps (2) Vacshorption pumps Ventury pump In situ and calibration tools: RHEED System: 0-10 keV RHEED Oscillation growth rate calibration system Cells: EPI Valved cracker with valved controller Cable Riber three zone P Valved cracker with valve controller Power supply (3) 400g Sumo cells Ga, In, Al (2) Dopont cells Dual electronic equipment rack, 19" (12) Solenson DC power supplies 2704 Dual channel Eurotherm controller Substrate and heated station (2) DC Power supplies Substrate heater Heated station Other tools: Ircon optical pyrometer Growth chamber and beam flux (2) GP Ion gauge controllers Buffer and loadlock chamber RHEED Power supply RGA Power supply unit TEK Scope Riber P valved cracker valve controller Riber P cracker power supply Pyrometer port heated Substrate manipulator controller Loadlock chamber Lamp power and controller AGILENT / HP / HEWLETT-PACKARD / KEYSIGHT Chart record mounted RHEED Oscillation recording Trolley for substrate handling.
VARIAN/VEECO GEN II Molekularstrahl Epitaxie (MBE) Ausrüstung ist eine bahnbrechende Technologie für die Forschung und Entwicklung von hochwertigen Halbleitermaterialien verwendet. Es bietet ein außergewöhnliches Maß an Kontrolle, Präzision und Genauigkeit für die Produktion dieser Geräte, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Das System umfasst VEECO GEN II MBE Prozessor für Materialdoping, Abscheidung und Wachstum von Strukturen. Der Prozessor wurde entwickelt, um Ultrahochvakuumumgebungen zu erreichen und eine breite Palette von Substrat- und Quellenkonfigurationen zu betreiben. Das Gerät enthält auch die optionale AE VEECO Long Body Source, die hohe Leistung und ausgezeichnete Homogenität des Molekularstrahls bietet und genaue und präzise MBE-Ergebnisse ermöglicht. Folgende Mainunit-Komponenten sind enthalten: 1. Vakuumkammern - Die Hauptkammer ist entworfen, um unter Ultrahochvakuum-Umgebung zu arbeiten, die Abscheidung und Wachstum von Materialschichten mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit und Zerstäubung ermöglicht. 2. Substratquellen - Eine Reihe von Quellen stehen zur Verfügung, abhängig von den benötigten Materialien und Standards (kystallin/amorph, etc.). Für eine verbesserte Genauigkeit können optionale Referenz- und Zielquellen für ein optimiertes Wachstum verwendet werden. 3. Quellkonfigurationen - Die Quellkonfigurationen umfassen Ionenquelle, Elektronenstrahlquelle, reaktive Quelle und eingebettete Quelle für verschiedene MBE-Prozesse. 4. Prozesssteuerung - Prozesssteuerung mit variabler Rate ermöglicht präzise Anpassungen der Substratabscheidung oder Wachstumsrate. Ein optionales Autotune-Modul ist für eine verbesserte Prozesssteuerung sowie verbesserte Produktivität und Kosteneinsparungen verfügbar. 5. Probenausrichtung - Die Probenausrichtungsmaschine bietet eine präzise und wiederholbare Positionierung der Wafer und ihrer Schichten für optimale Gleichmäßigkeit und Genauigkeit. 6. Vakuumüberwachung - Das Werkzeug überwacht die Niveaus von Druck, Temperatur und Restgasen mit den in situ hygrometrischen und Abscheidezellen, Analysatoren und Messgeräten. VARIAN GEN II MBE Asset bietet benutzerfreundliches Design und intuitive Bedienelemente für schnelle Einrichtung und Bedienung. Je nach Bedarf wird das Modell auch mit verschiedenen Konfigurationen angeboten. Durch den Einsatz der neuesten MBE-Technologie ist die Ausrüstung in der Lage, optimale Präzision und Genauigkeit für überlegene Qualität und Zuverlässigkeit zu liefern.
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