Gebraucht VEECO Gen II #9194612 zu verkaufen
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ID: 9194612
Wafergröße: 3"
MBE Growth system, 3"
AlGaAs Laser
InGaAsP
Vacuum:
Growth chamber (GC)
Triode ion pump: 400 l/sec
Buffer chamber (BC)
Triode ion pump: 200 l/sec
(2) TSP Controllers
Loadlock chamber (LC)
(100) CTI Cryotor cryopumps
(2) Vacshorption pumps
Ventury pump
In situ and calibration tools:
RHEED System: 0-10 keV
RHEED Oscillation growth rate calibration system
Cells:
EPI
Valved cracker with valved controller
Cable
Riber three zone
P Valved cracker with valve controller
Power supply
(3) 400g Sumo cells Ga, In, Al
(2) Dopont cells
Dual electronic equipment rack, 19"
(12) Solenson DC power supplies
2704 Dual channel
Eurotherm controller
Substrate and heated station
(2) DC Power supplies
Substrate heater
Heated station
Other tools:
Ircon optical pyrometer
Growth chamber and beam flux
(2) GP Ion gauge controllers
Buffer and loadlock chamber
RHEED Power supply
RGA Power supply unit
TEK Scope
Riber P valved cracker valve controller
Riber P cracker power supply
Pyrometer port heated
Substrate manipulator controller
Loadlock chamber
Lamp power and controller
AGILENT / HP / HEWLETT-PACKARD / KEYSIGHT Chart record mounted
RHEED Oscillation recording
Trolley for substrate handling.
VARIAN/VEECO GEN II Molekularstrahl Epitaxie (MBE) Ausrüstung ist eine bahnbrechende Technologie für die Forschung und Entwicklung von hochwertigen Halbleitermaterialien verwendet. Es bietet ein außergewöhnliches Maß an Kontrolle, Präzision und Genauigkeit für die Produktion dieser Geräte, um eine optimale Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Das System umfasst VEECO GEN II MBE Prozessor für Materialdoping, Abscheidung und Wachstum von Strukturen. Der Prozessor wurde entwickelt, um Ultrahochvakuumumgebungen zu erreichen und eine breite Palette von Substrat- und Quellenkonfigurationen zu betreiben. Das Gerät enthält auch die optionale AE VEECO Long Body Source, die hohe Leistung und ausgezeichnete Homogenität des Molekularstrahls bietet und genaue und präzise MBE-Ergebnisse ermöglicht. Folgende Mainunit-Komponenten sind enthalten: 1. Vakuumkammern - Die Hauptkammer ist entworfen, um unter Ultrahochvakuum-Umgebung zu arbeiten, die Abscheidung und Wachstum von Materialschichten mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit und Zerstäubung ermöglicht. 2. Substratquellen - Eine Reihe von Quellen stehen zur Verfügung, abhängig von den benötigten Materialien und Standards (kystallin/amorph, etc.). Für eine verbesserte Genauigkeit können optionale Referenz- und Zielquellen für ein optimiertes Wachstum verwendet werden. 3. Quellkonfigurationen - Die Quellkonfigurationen umfassen Ionenquelle, Elektronenstrahlquelle, reaktive Quelle und eingebettete Quelle für verschiedene MBE-Prozesse. 4. Prozesssteuerung - Prozesssteuerung mit variabler Rate ermöglicht präzise Anpassungen der Substratabscheidung oder Wachstumsrate. Ein optionales Autotune-Modul ist für eine verbesserte Prozesssteuerung sowie verbesserte Produktivität und Kosteneinsparungen verfügbar. 5. Probenausrichtung - Die Probenausrichtungsmaschine bietet eine präzise und wiederholbare Positionierung der Wafer und ihrer Schichten für optimale Gleichmäßigkeit und Genauigkeit. 6. Vakuumüberwachung - Das Werkzeug überwacht die Niveaus von Druck, Temperatur und Restgasen mit den in situ hygrometrischen und Abscheidezellen, Analysatoren und Messgeräten. VARIAN GEN II MBE Asset bietet benutzerfreundliches Design und intuitive Bedienelemente für schnelle Einrichtung und Bedienung. Je nach Bedarf wird das Modell auch mit verschiedenen Konfigurationen angeboten. Durch den Einsatz der neuesten MBE-Technologie ist die Ausrüstung in der Lage, optimale Präzision und Genauigkeit für überlegene Qualität und Zuverlässigkeit zu liefern.
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