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VEECO GEN III-V Molekularstrahl-Epitaxie-Ausrüstung ist ein einzigartiges Forschungswerkzeug für den Anbau von nanoskaligen Verbundhalbleitermaterialien. Es bietet erstklassige Forschungsfunktionen und Leistung, mit denen die fortschrittlichsten und innovativsten Geräte und Materialien von heute hergestellt werden können. Das System enthält eine Ultrahochvakuum (UHV) -Abscheidungseinheit, die die Bedingungen für das Wachsen von epitaktischen Schichten aus III-V-Substraten (wie GaAs und GaP) bietet. Seine leistungsstarke Reihe von Funktionen umfassen mehrere Suszeptor Transport und Verarbeitung; ein bis vier Quelltiegel pro Maschine für erhöhte Probengleichförmigkeit und -durchsatz; und eine UHV-Kammer mit einer gepumpten, schlitzlosen Quelle und zwei, unabhängigen Effusionszellen für erweiterte Forschungsanwendungen. Darüber hinaus enthält es mehrere erweiterte Quellkonfigurationen, wie langlebige Verdampfungsquellen für längere Betriebsstunden; Blanker für höhere Ablagerungsraten von Gruppen-III-Arten; Quellverschlüsse zur genauen Kontrolle der Abscheideraten; und Gaseinbruchquellen. Sein hochauflösendes und schnell ansprechendes Massenspektrometer bietet Spurenmessungen der Gaszusammensetzung der Kammer, um die volle Kontrolle der Wachstumsparameter des Films zu gewährleisten. Die UHV-kompatiblen mechanischen Komponenten des Werkzeugs, wie die Laser-Heizsysteme mit hohen thermischen Gradienten, kombiniert mit der präzisen mechanischen Steuerung des Suszeptors, ermöglichen die Herstellung wissenschaftlicher und technischer Materialien in der gleichen Eigenschaft. GEN III-V bietet eine breite Palette von verfügbaren zusätzlichen Optionen und Funktionen, die seine Fähigkeiten drastisch erweitern. Kundenspezifische In-situ-Fluenzmodule bieten obere/untere Wafer-Fluenzsteuerung bis hin zur einstelligen prozentualen Genauigkeit, während das „In-situ“ QCM Echtzeit-Abscheidungsratenmessungen bereitstellen kann. Auch die integrierten Optionen wie die Fernwärme-/-kühlsysteme, die Probenhalterungen und die inkrementelle Substratrotation ermöglichen ultradünne Schichten mit extremer Gleichmäßigkeit. Darüber hinaus ermöglichen die erweiterten Hardwareoptionen, wie der automatisierte Probentransport mit In-situ-Probenlagerung und -Abruf, das automatische Be-/Entladen von Substraten und die automatisierte Rezepturauswahl, das Modell für längere Zeit ohne Bediener zu arbeiten. VEECO GEN III-V bringt jeden Aspekt der Molekularstrahl-Epitaxie in Reichweite und kombiniert Weltklasse-Leistung mit beispielloser Flexibilität, um das beste epitaktische Materialwachstum für Forschung und kommerzielle Zwecke für die kommenden Jahre zu schaffen.
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