Gebraucht VG SEMICON V80 #293795343 zu verkaufen

ID: 293795343
Wafergröße: 4"
Weinlese: 1997
MBE (Molecular Beam Epitaxy) system, 4" Chamber for III-V Chamber for II-VI Chamber for IV 1997 vintage.
VG SEMICON V80 ist eine hochmoderne Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung, die auf das epitaktische Wachstum hochwertiger kristalliner Dünnschichten und Nanostrukturen mit atomarer Präzision ausgelegt ist. MBE ist eine etablierte Technik im Bereich der Herstellung von Halbleiterbauelementen aufgrund seiner Fähigkeit, Materialien mit überlegenen elektronischen und optischen Eigenschaften herzustellen. V80 System ist mit mehreren Hochtemperatur-Effusionszellen zur thermischen Verdampfung von elementaren Quellen wie Gallium, Indium, Arsen und Phosphor ausgestattet. Diese Zellen werden genau kontrolliert, um einen stabilen Fluss von Atomen auf die Substratoberfläche zu erhalten, wodurch eine gleichmäßige Abscheidung und Kristallwachstum gewährleistet ist. Darüber hinaus verfügt die Einheit über eine hochfrequente Plasmaquelle für das Wachstum von Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Galliumnitrid (GaN). Eine der Schlüsselfunktionen der VG SEMICON V80 Maschine ist das fortschrittliche Substrathandhabungswerkzeug, das das Wachstum komplexer mehrschichtiger Strukturen mit hoher Reproduzierbarkeit ermöglicht. Die Anlage ist mit einer Lastschloßkammer ausgestattet, die einen schnellen Substrataustausch ermöglicht, ohne die Wachstumskammer mit Luft zu beaufschlagen, hohe Vakuumbedingungen zu gewährleisten und Kontaminationen während des Wachstums zu minimieren. Der Substrathalter kann verschiedene Größen und Arten von Substraten aufnehmen, einschließlich Halbleiterscheiben, Einkristalle und strukturierte Substrate. V80 Modell wird von einer ausgeklügelten Computersoftware-Schnittstelle gesteuert, mit der Benutzer den Wachstumsprozess in Echtzeit programmieren und überwachen können. Die Software bietet eine benutzerfreundliche grafische Schnittstelle zur Einstellung von Wachstumsparametern wie Substrattemperatur, Wachstumsrate und Strahlflüsse. Darüber hinaus verfügt das Gerät über In-situ-Überwachungswerkzeuge wie Reflexion-Hochenergie-Elektronenbeugung (RHEED) und Massenspektrometrie zur Echtzeitanalyse des Wachstumsprozesses und der Filmzusammensetzung. Das VG SEMICON V80 System ist mit einer hochpräzisen Manipulatoreinheit ausgestattet, die eine genaue Positionierung und Rotation des Substrats während des Wachstums ermöglicht. Dieses Merkmal ist wesentlich für das Wachstum von epitaktischen Schichten mit präziser Dicke, Zusammensetzung und Kristallorientierung. Die Maschine umfasst auch ein spezielles Gashandhabungswerkzeug für die Einführung von Dotierstoffen und zusätzlichen reaktiven Gasen während des Wachstums, das die Herstellung komplexer Halbleiterstrukturen mit maßgeschneiderten elektronischen Eigenschaften ermöglicht. Zusammenfassend ist V80 ein vielseitiges MBE-Asset, das Forschern und Geräteherstellern ein leistungsstarkes Werkzeug für das Wachstum von epitaktischen Dünnschichten und Nanostrukturen mit außergewöhnlicher Qualität und Kontrolle bietet. Mit seinen fortschrittlichen Fähigkeiten, der präzisen Steuerung und der benutzerfreundlichen Schnittstelle steht das VG SEMICON V80 Modell an der Spitze der MBE-Technologie und ist bestrebt, Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien und -bauelemente voranzutreiben.
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