Gebraucht DNS / DAINIPPON 80B #9196636 zu verkaufen
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DNS/DAINIPPON 80B ist eine Photoresist-Ausrüstung für den Einsatz in Halbleiteranwendungen. Es ist ein Zweikomponenten-Photoresist-System, das ein lichtempfindliches Material - typischerweise ein Acrylharz - verwendet, um ein Muster auf einem Substrat zu bilden. Die Einheit besteht aus zwei Hauptkomponenten: der Entwicklerlösung und der Belichtungseinheit. Die Entwicklerlösung ist ein flüssiges oder halbfestes Material, das ein lichtempfindliches Material wie ein Acrylharz enthält. Die Belichtungseinheit ist eine Vorrichtung, die die Oberfläche eines Substrats einer Strahlungsquelle - typischerweise ultravioletter Strahlung - aussetzen kann. Nachdem das Substrat der Strahlung ausgesetzt ist, wird die Entwicklerlösung darauf aufgebracht. Die Entwicklerlösung reagiert mit der vom Substrat absorbierten Strahlung, wodurch das Harz polymerisiert und ein strukturiertes Negativ der Strahlungsquelle bildet. Das gemusterte Negativ kann dann als Maske verwendet werden, um ein entsprechendes Muster auf dem Substrat zu erzeugen. DNS 80B Maschine ist in der Lage, Muster genau und schnell mit einer Auflösung von 0,5 Mikron (500 nm) zu produzieren. Es verfügt über ein automatisiertes Entwicklungswerkzeug, das das Substrat schnell der Strahlungsquelle aussetzen und dann die Entwicklerlösung anwenden kann. Dadurch wird sichergestellt, dass das Muster genau und schnell ausgebildet wird. DAINIPPON 80B Asset ist auch in der Lage, hochauflösende Muster auf einer Vielzahl von Substraten zu produzieren, einschließlich dünner Filme, Folien und Papier. Das Modell ist auch für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich der Strukturierung integrierter Schaltungen, der Herstellung von Dünnschichtvorrichtungen und der Strukturierung von Leiterplatten. Insgesamt ist 80B Photoresist-Ausrüstung eine zuverlässige und genaue Möglichkeit, präzise strukturierte Substrate für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen zu erstellen. Es ist aufgrund seiner hohen Auflösung, hohen Geschwindigkeit und breiten Substratkompatibilität äußerst gut und für den Einsatz in einer Reihe von Halbleiteranwendungen geeignet.
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