Gebraucht DNS / DAINIPPON RF3S #9392802 zu verkaufen

DNS/DAINIPPON RF3S ist eine Photoresist-Entwicklungsausrüstung von DNS SCREEN, einem bekannten Anbieter von lithographischen Werkzeugen, Maschinen und Zubehör. Es ist ideal für den Einsatz in der Herstellung von Mikroschaltungen, MEMS (mikro-elektro-mechanische Systeme), und andere Mikron-Maßstab Strukturen. DNS RF3S Photoresist-Entwicklungssystem besteht aus drei Komponenten: einem Resistmaterial, einer Entwicklungseinheit und einer Strippeinheit. Das Resistmaterial wird mittels Schleuder- oder chemischer Aufdampftechniken auf das Substrat aufgebracht und anschließend Licht ausgesetzt. Je nach gewünschtem Muster wird das Licht direkt aus einer Maske oder einer Lichtquelle zurück erzeugt. Die Belichtung bewirkt eine Veränderung der Struktur des Resistmaterials, was zu einem strukturierten Resistfilm auf dem Substrat führt. Die entwickelte Einheit verarbeitet dann das Resistmaterial, um das belichtete Teil zu entfernen, und der verbleibende strukturierte Resist kann selektiv auf das Substrat übertragen werden. Die Abstreifeinheit entfernt dann den unerwünschten Resist vom Substrat, wobei nur der strukturierte Resist auf dem Substrat verbleibt. Die Vorteile von DAINIPPON RF3S Photoresist-Entwicklungseinheit sind zahlreich. Es bietet eine hervorragende Musterdefinition und Auflösung mit einer Auflösung von 0,2 μ m (0,008mil) bzw. 0,1 μ m (0,004mil). Es ermöglicht auch einen hohen Planarisierungsgrad, der für die moderne Geräteherstellung unerlässlich ist. Darüber hinaus bietet die Maschine eine hervorragende Benutzerfreundlichkeit und ist erschwinglich. Darüber hinaus lässt es sich nahtlos in j-OTF-kompatible Lithographie-Werkzeuge integrieren. Schließlich kann das gedruckte Resist-Muster mit seinem eingebauten QC-Monitor leicht untersucht werden. Das Tool ermöglicht es Benutzern, die Fehlerauflösung sowie die Bildqualität gleichzeitig zu überprüfen. Darüber hinaus verfügt es über eine hochpräzise Ausrichtung durch automatische Ausrichtung auf die Musterreferenz mit einer Auflösung von 0,2 μ m (0,008mil). All diese Eigenschaften machen es zu einer großen Wahl für die Herstellung von mikroelektronischen Geräten.