Gebraucht ALLWIN21 AW 1008 #9201817 zu verkaufen
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ID: 9201817
Wafergröße: 3"- 6"
Plasma etcher, 3"- 6"
Wafer loading: 3-Axis robot
Plasma power: Microwave
Types:
Parallel
Single wafer process
Gas Lines: 1-4
Production-proven plasma stripper / Asher system
Frontside and backside isotropic removal
Microwave 1000W: 2.45GHz
Pressure control with throttle valve
Main frame with breakers, relays and wires
Keyboard, mouse, cables
EMO, interlocks, and watchdog function
Quartz tray:
3-4 inch, 4-6 inch, 5 inch, 6 inch, others
Fixed cassette stations:
One station
Two stations
Lamp heat module and quartz window
6" Quartz showerhead and 5" diffusion disk
Main control
Distributor PCB and DC
Integrated solid robot: H1-7 x 10.5
Waveguide and quartz plasma tube
Chamber top plate and body:
Close loop temperature control (CLTC)
Blowers:
Magnetron
Waveguide
MFCs:
1 MFC, 2 MFCs, 3 MFCs, 4 MFCs
CLTC:
AC Box
Lamp control PCB
Main vacuum valves:
Fast pump: Two, one
Slow pump: One
MKS Baratron
Throttle valve
Front EMO, interlocks
Touch screen GUI, 15"
Options:
EOP Module with PCB
Lamp tower alarm function
Vacuum pump
Downstream ashing: NO
Bulk resist removal
Single wafer process
High-dose implanted resist
Non-oxidizing metal processing
Descum
Pressure: 1.75 to 2.5 Torr
Gas flow:
O2: 4.5 SLPM
N2: 0.5 SLPM
Variable lamp time: 0-9999 seconds (AW)
Variable temperature: 150°C – 350°C
Vacuum chamber pump: 165 cfm
Cabinet exhaust: >250 cfm
Plumbed gases:
O2
N2
Asher rate: 1.5u-5u/min
Positive photoresist: >8u/min
Negative
Photoresist
Uniformity: 15% Process dependent
Particulate: <0.05 /cm2
Selectivity: >1000:1
MTBF / MTTN / MTTR: 450 Hours / 100 Hours / 3.5 Hours or better 95%
Electrical requirements:
208VAC
3 Phase
60Hz
30Amps.
ALLWIN21 AW 1008 ist ein schneller thermischer Prozessor, der für eine schnelle, präzise und zuverlässige thermoelektrische Verarbeitung von Substraten bis zu 8 Zoll ausgelegt ist. Dieses Gerät eignet sich zur Umwandlung von kristallinem Silizium in eine Vielzahl von Produkten wie Leistungsbauelemente, integrierte Schaltungen (ICs) und Dünnschichttransistoren (TFTs). Es kann auch zum Entfernen von Dotierstoffen, zum Wachsen extrem dünner Gate-Oxide, zum Passivieren von Interlevel-Dielektrika, zum Planarisieren und zum Reinigen von Substraten für nachfolgende Anwendungen verwendet werden. Der schnelle thermische Prozessor AW 1008 verfügt über ein geringes thermisches Budget von 0,5-Watt-Sekunden für mehr Prozesstreue. Mit der Funktion Rapid Temperature Programming (RTP) bietet es zudem eine präzise Temperaturregelung und schnelle thermische Reaktion. RTP ermöglicht es dem Prozessor, die Temperaturen mit hoher Geschwindigkeit, Genauigkeit und Wiederholbarkeit auf wöchentliche Sollwerte einzustellen. Das System verwendet eine beheizte Ansprechkammer und ein beheiztes Futter zur gleichmäßigen Temperaturverteilung und effizienten Wärmeübertragung auf das Substrat. Das Gerät verfügt auch über ein spezielles Thermoelement, das ein modernes isoliertes Thermopile verwendet, um die Temperatur des Substrats in Echtzeit zu überwachen und zu steuern. Der Temperaturbereich der Maschine kann von -270 ° C bis 1100 ° C geregelt werden und die Temperaturgenauigkeit liegt innerhalb von +/- 1 ° C. ALLWIN21 Schnellwärmeprozessor AW 1008 enthält auch andere Komfortfunktionen wie automatische Gasflussregelung und Plasmaätzfähigkeit. Darüber hinaus können Sie mit einem optionalen One-Touch-Rezeptspeicher bis zu 10 voreingestellte Prozessrezepte für den einfachen Abruf speichern. Der Prozessor ist auch mit einem Touch-Panel-Bedienpult ausgestattet, mit dem Benutzer die Prozessparameter überwachen und anpassen können. Dieser Prozessor ist ideal für eine Vielzahl von thermischen Verarbeitungsanwendungen wie Oxidglühen, Gateoxidätzen, Gateoxidation, plasmaunterstützte thermische Prozesse, Dotieren, Passivieren, Aktivflächenreinigung und Zwischenabscheidung. Es ist kompatibel mit Standard 200mm Wafern und Substraten wie Silizium, Silizium Germanium und Galliumnitrid. Insgesamt ist AW 1008 ein zuverlässiger und effizienter schneller thermischer Prozessor, der eine ausgezeichnete Temperaturregelung, schnelle Reaktionszeiten und verbesserte Prozessgenauigkeit für eine breite Palette von Anwendungen bietet.
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