Gebraucht ALLWIN21 AW 2001R #9201803 zu verkaufen
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ID: 9201803
Wafergröße: 2"-6"
Plasma etcher, 2"-6"
Wafer loading: 3-Axis robot
Plasma power: Microwave
Type: Parallel / Single wafer process
Stand alone
Gas lines: (4) Lines
Applications:
BPSG Etcher
LTO Etcher
TEOS Etcher
Thermal oxide etcher
LPCVD Nitride etcher
PECVD Nitride etcher
Trench rounding
Descum
RIE Damage removal
Sodium removal
Planarization
Backside etcher: Poly, nitride, oxide
Nitride pattern removal:
PBL, LOCOS With pad oxide: >400Å
Low temp photoresist ashing over: Oxides, Poly, Al, W, Ti
Main frame with breakers, relays and wires
Pentium class PC
Keyboard
Mouse
USS
SW Backup and cables
Fixed cassette stations:
(2) Cassette stations
One cassette station / One centering / Alignment station
Door assembly
Metal shower head
Extended alumina plasma tube for better uniformity
Orifice, gas cap
Chamber body and top plate
Main control, distributor PCB and DC
H1-7 x 10.5 Integrated (3) Axis solid robot
Water cooled MAGNETRON and wave guide
Water cooled 1000W MAGNETRON / Wave guide with an AGL
Microwave power generator: 2.45GHz
(4) Isolated gas lines
With pneumatic valves and MFC
AC Box
Main & slow vacuum valves
MKS Baratron
Throttle valve
Front EMO
Interlocks
Touch screen GUI, 15"
Options:
GEM / SECS II Function
Light tower
Vacuum pump
Chuck temperature: 60-110ºC (±2 ºC)
Gases: NF3, CF4, HE, O2
Uniformity:
100 mm: ± 3% (5% 3 σ)
150 mm: ± 5% (8% 3 σ)
Maximum - minimum / 2 x average
Reproducibility (w-t-w): 10% 3 σ
Particulate: 0.05p / cm2 > 0.3µm
Vacuum chamber pump: 165 cfm
Cabinet exhaust: >250 cfm
Plumbed gases:
CF4
O2
He
NF3
Electrical requirements: 208 VAC, 3 Phase, 6 Hz, 30 Amps.
ALLWIN21 AW 2001R ist ein schneller thermischer Prozessor, der sein einzigartiges patentiertes Design verwendet, um eine schnelle thermische Verarbeitung für eine Vielzahl von Anwendungen durchzuführen. Dieser Prozessor eignet sich hervorragend für Wafer-Level-Verpackungen sowie für die Herstellung von MEMS und Compound-Halbleiterbauelementen. AW 2001R verfügt über eine einzigartige doppelseitige parallele lineare thermische Zone, in der Benutzer die Temperatureinstellung für jede Zone überwachen und steuern können. Dadurch wird eine gleichmäßige Erwärmung über die Waferoberfläche gewährleistet. Die patentierte Steuer- und Überwachungseinrichtung steuert und überwacht die Temperatur und die Geschwindigkeit jeder thermischen Zone unabhängig voneinander und steuert automatisch das Wärmebad, das dem Wafer am nächsten liegt, um eine ungleichmäßige Erwärmung des Wafers auszugleichen. ALLWIN21 AW 2001R nutzt ein leistungsstarkes 5 kW Fünf-Zonen-Pulslaser-Heizsystem, um eine präzise thermische Steuerung zu gewährleisten. Die fortschrittliche Leistungssteuerung ist so konzipiert, dass sie schnell auf Änderungen in der Prozessrezeptur oder thermischen Bedingungen reagiert. Das 2000R ist mit einer 3 kW Metallhalogenidlampe für Glüh- und Diffusionsanwendungen erhältlich. AW 2001R bietet auch eine programmierbare Gasströmungsmaschine, die eine präzise Steuerung der Umgebung außerhalb der thermischen Zone ermöglicht. Die beiden einzelnen steuerbaren Gaseintrittsöffnungen können entweder für Gasgemische wie Sauerstoff und Stickstoff oder für Stickstoff/Argon-Spülung beim Abkühlen verwendet werden. Dies bietet Flexibilität, verschiedene Prozesse mit der gleichen Ausrüstung durchzuführen. ALLWIN21 AW 2001R ist robust gebaut und mit einem Sicherheitswerkzeug für den ordnungsgemäßen Betrieb ausgestattet. Dieser Vorteil trägt dazu bei, einen sicheren und zuverlässigen Betrieb der Ausrüstung zu gewährleisten. Mit diesen Eigenschaften bietet AW 2001R Anwendern ein zuverlässiges und einfach zu bedienendes thermisches Verarbeitungsmodell für eine Vielzahl von Anwendungen in der Halbleiterindustrie.
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