Gebraucht ALLWIN21 AW 2001R #9201803 zu verkaufen

ALLWIN21 AW 2001R
ID: 9201803
Wafergröße: 2"-6"
Plasma etcher, 2"-6" Wafer loading: 3-Axis robot Plasma power: Microwave Type: Parallel / Single wafer process Stand alone Gas lines: (4) Lines Applications: BPSG Etcher LTO Etcher TEOS Etcher Thermal oxide etcher LPCVD Nitride etcher PECVD Nitride etcher Trench rounding Descum RIE Damage removal Sodium removal Planarization Backside etcher: Poly, nitride, oxide Nitride pattern removal: PBL, LOCOS With pad oxide: >400Å Low temp photoresist ashing over: Oxides, Poly, Al, W, Ti Main frame with breakers, relays and wires Pentium class PC Keyboard Mouse USS SW Backup and cables Fixed cassette stations: (2) Cassette stations One cassette station / One centering / Alignment station Door assembly Metal shower head Extended alumina plasma tube for better uniformity Orifice, gas cap Chamber body and top plate Main control, distributor PCB and DC H1-7 x 10.5 Integrated (3) Axis solid robot Water cooled MAGNETRON and wave guide Water cooled 1000W MAGNETRON / Wave guide with an AGL Microwave power generator: 2.45GHz (4) Isolated gas lines With pneumatic valves and MFC AC Box Main & slow vacuum valves MKS Baratron Throttle valve Front EMO Interlocks Touch screen GUI, 15" Options: GEM / SECS II Function Light tower Vacuum pump Chuck temperature: 60-110ºC (±2 ºC) Gases: NF3, CF4, HE, O2 Uniformity: 100 mm: ± 3% (5% 3 σ) 150 mm: ± 5% (8% 3 σ) Maximum - minimum / 2 x average Reproducibility (w-t-w): 10% 3 σ Particulate: 0.05p / cm2 > 0.3µm Vacuum chamber pump: 165 cfm Cabinet exhaust: >250 cfm Plumbed gases: CF4 O2 He NF3 Electrical requirements: 208 VAC, 3 Phase, 6 Hz, 30 Amps.
ALLWIN21 AW 2001R ist ein schneller thermischer Prozessor, der sein einzigartiges patentiertes Design verwendet, um eine schnelle thermische Verarbeitung für eine Vielzahl von Anwendungen durchzuführen. Dieser Prozessor eignet sich hervorragend für Wafer-Level-Verpackungen sowie für die Herstellung von MEMS und Compound-Halbleiterbauelementen. AW 2001R verfügt über eine einzigartige doppelseitige parallele lineare thermische Zone, in der Benutzer die Temperatureinstellung für jede Zone überwachen und steuern können. Dadurch wird eine gleichmäßige Erwärmung über die Waferoberfläche gewährleistet. Die patentierte Steuer- und Überwachungseinrichtung steuert und überwacht die Temperatur und die Geschwindigkeit jeder thermischen Zone unabhängig voneinander und steuert automatisch das Wärmebad, das dem Wafer am nächsten liegt, um eine ungleichmäßige Erwärmung des Wafers auszugleichen. ALLWIN21 AW 2001R nutzt ein leistungsstarkes 5 kW Fünf-Zonen-Pulslaser-Heizsystem, um eine präzise thermische Steuerung zu gewährleisten. Die fortschrittliche Leistungssteuerung ist so konzipiert, dass sie schnell auf Änderungen in der Prozessrezeptur oder thermischen Bedingungen reagiert. Das 2000R ist mit einer 3 kW Metallhalogenidlampe für Glüh- und Diffusionsanwendungen erhältlich. AW 2001R bietet auch eine programmierbare Gasströmungsmaschine, die eine präzise Steuerung der Umgebung außerhalb der thermischen Zone ermöglicht. Die beiden einzelnen steuerbaren Gaseintrittsöffnungen können entweder für Gasgemische wie Sauerstoff und Stickstoff oder für Stickstoff/Argon-Spülung beim Abkühlen verwendet werden. Dies bietet Flexibilität, verschiedene Prozesse mit der gleichen Ausrüstung durchzuführen. ALLWIN21 AW 2001R ist robust gebaut und mit einem Sicherheitswerkzeug für den ordnungsgemäßen Betrieb ausgestattet. Dieser Vorteil trägt dazu bei, einen sicheren und zuverlässigen Betrieb der Ausrüstung zu gewährleisten. Mit diesen Eigenschaften bietet AW 2001R Anwendern ein zuverlässiges und einfach zu bedienendes thermisches Verarbeitungsmodell für eine Vielzahl von Anwendungen in der Halbleiterindustrie.
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