Gebraucht AIXTRON 200/4 RF-S #197865 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 197865
Wafergröße: 2"
MOCVD / GaN System, 2" single-wafer
1 x 2-inch wafer configuration in horizontal-flow reactor cell
Reactor cell integrated with M.Braun inert-atmosphere glovebox
Inductive heating to 1200°C with Huttinger power supply
Luxtron pyrometer for process temperature control
Filmetrics white-light reflectometer for in situ monitoring, with dedicated PC
Leybold D65BCS main pump
Five MO lines, including one configured for dopant dilution
Space allowance for three additional MO lines
MOs used TMGa, TMIn, TMAl, Cp2Mg, ditertiarybutylsilane
Hydride lines for ammonia, dilute silane, plus one spare
Johnson Matthey Pd-diffusion cell for hydrogen purification
SAES heated getter column for nitrogen purification
Full PC and PLC control using Aixtron CACE v2.2 software
Includes Aixtron wet-column exhaust scrubber
Used for ca 550 growth runs only
Offered with manuals and spares
Gas cabinets and control panels can be included in purchase
Currently powered down in cleanroom
2000 vintage.
AIXTRON 200/4 RF-S ist ein Reaktor für Oberflächenbearbeitungsanwendungen mit Hochfrequenzsputter- und Verdampfungstechnik. Der Reaktor ist eine vier Ziel-Plasma-verbesserte Abscheidung Ausrüstung mit einem Plasmagas Durchflussmerkmal. Es wurde entwickelt, um einen homogenen, wiederholbaren und effizienten Abscheidungsprozess bereitzustellen. Der Reaktor besteht aus vier Quellen, die jeweils aus Kathode, Anode und HF-Generator bestehen. Die Kathoden sind Sputtertargets aus verschiedenen Materialien, die für eine wünschenswerte Oberflächenabscheidung ausgelegt sind. Die Anode wird in der Mitte der Kathoden platziert, um die vom HF-Generator erzeugte Energie zu fokussieren. Der HF-Generator hilft, Plasma in der Kammer für ein effizientes Sputtern des Materials von der gewünschten Zieloberfläche zu erzeugen. Im Betrieb erzeugt der HF-Generator ein elektrisches Feld nahe dem Target, das bewirkt, dass das Plasmagas ionisiert und zur Zieloberfläche hin beschleunigt. Dadurch entsteht ein gleichmäßiger Plasmastrahl zum Sputtern des Zielmaterials. Das zerstäubte Material wird dann der kontrollierten Atmosphäre innerhalb der Kammer unterworfen und einer kontrollierten Reaktion unterzogen, wobei eine gewünschte Oberflächenabscheidung entsteht. Das System bietet auch eine unabhängige Steuerung der aufgebrachten HF-Leistungsdichte und des Gasdurchsatzes, was eine präzise Steuerung des Abscheideprozesses ermöglicht. Das Gerät ist mit einer automatisierten Temperatur- und Druckregelung ausgestattet, die die gewünschte Temperatur und den Druck in der Kammer für eine konsistente, optimierte Abscheidung konstant hält. AIXTRON 200/4 RF-S bietet auch erweiterte Diagnose- und automatisierte Sicherheitsprotokolle, die vorausschauende Wartungs- und Fehlererkennungsfunktionen bieten. Mit seiner fortschrittlichen Diagnose kann die Maschine Probleme frühzeitig erkennen, eine präzise Kontrolle des Abscheidungsprozesses gewährleisten und Ausfallzeiten durch Geräteausfall reduzieren. Insgesamt ist AIXTRON 200/4 RF-S ein robustes und zuverlässiges Zerstäubungs- und Verdampfungswerkzeug für eine Vielzahl von Oberflächenbearbeitungsanwendungen. Die integrierte Gasströmungsfunktion, die Temperatur-/Druckregelung und die fortschrittliche Diagnose machen es zu einer idealen Wahl für die Verarbeitung verschiedener Materialien für optimierte Abscheideeigenschaften.
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