Gebraucht AIXTRON 200 #146468 zu verkaufen

Hersteller
AIXTRON
Modell
200
ID: 146468
Wafergröße: 2"
Weinlese: 1989
MOCVD Mixed bed reactor, 2" Configured for (3) 2" wafers Process: GaN Metal organic gas bubblers included Set up to run nitrides 1989 vintage.
AIXTRON 200 ist ein moderner CVD-Reaktor, der dünne Filme und Beschichtungen aus anorganischen (Nichtmetallen) und organischen Materialien anbaut. Es ist in der Lage, Filme anzubauen, die je nach Material und Verfahren von wenigen atomaren Schichten dick bis größer als mehrere Mikrometer reichen. Der Reaktor weist zwei oben liegende, vertikale Öfen mit großen Prozesskammern auf, die zu einem In-situ-Wachstum von dicken Folien mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, Dicke und Stufendeckung auf großen Substraten führen. 200 besteht aus zwei Hauptkomponenten, der Abscheidekammer und dem Loadlock-Stützmodul. Die Kammer verfügt über eine unabhängige Heiz-, Kühl-, Entlüftungs- und Entlastungsfähigkeit mit einem mechanischen und Roboterarm. Die Kapazität der Kammer ist anpassbar, um einen Bereich von mehreren Substratgrößen bis zu 200mm unterzubringen. Es ist mit einem modularen Konzept konzipiert, das Werkzeugerweiterungen mit Leichtigkeit und mit der Möglichkeit der zukünftigen Einführung neuer Prozessgase und alternativer Vorsputterprozesse ermöglicht. Die Abscheidekammer weist zwei planare HF-Induktoren mit mehreren HF-Quellenarmen auf, die eine signifikante Erhöhung der Reaktivgaskontrolle in der Kammer bei Prozessen wie ALD, Plasma-Enhanced ALD ermöglichen. und PECVD. Das Top-Down-Doppelkammerdesign und die Prozessmodalitäten wie Doherty-Ätzen, Kristallwachstum, schnelle thermische Verarbeitung und Beschichtung sorgen für eine hervorragende Gleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit von Dünnschichtwachstum oder -beschichtung. Die Abscheidekammer ist mit einer geladenen Partikelpistole mit einstellbarer Gleichstromversorgung ausgestattet. Diese Pistole eignet sich gut für Materialien mit eigener negativer Aufladung wie Polysilizium, Poly-SiGe und Poly-III-V-Verbindungen. AIXTRON 200 ist auch mit einer breiten Palette von Prozessdetektions- und Steuerungsoptionen ausgestattet, wie z.B. einer Ladeschloss-optischen Emissionsanlage, Videoprüfsystemen, Gasflusssteuerung, In-situ-Ellipsometrie und Quarzkristall-Mikrowaage. Das Ladestützmodul umfasst ein computergesteuertes Waferübertragungssystem, Vakuum- und Penning-Pumpen, eine computergesteuerte Gasabbaueinheit zur Ausrüstung des Reaktors mit der Fähigkeit, gefährliche Gase zu verarbeiten, und eine HF-Ätzmaschine. Alle Komponenten entsprechen der ATEX-Zertifizierung und UVCE-Zertifizierung. Dieser Reaktor ist in der Lage, eine breite Palette von Abscheidungsprozessen wie MOCVD, ALD, PECVD und schnelle thermische Verarbeitung laufen. Mit hoher Prozesssteuerung und Gleichmäßigkeit von Dünnschichten eignet sich 200 für die Herstellung verschiedener Dünnschichtvorrichtungen, einschließlich Dünnschichtsolarzellen, LEDs, Transistoren, Dünnschichtbatterien und ultradünnen Gatestapelstrukturen für fortgeschrittene MEMS-Geräte.
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