Gebraucht AIXTRON 2000 HT #9093575 zu verkaufen

Hersteller
AIXTRON
Modell
2000 HT
ID: 9093575
Weinlese: 2005
MOCVD System Nitride (GaN) Controller Planetary reactor Gas foil rotation RF Cooling wafers Glove box PC Controller: DELL Poweredge 1750 Reactor temperature gauge: EUROTHERM Reactor pressure gauge: MKS 600 Controller Pressure balancing gauge: EUROTHERM Temperature control system: LUXTRON 100C Optical fiber Main system With (8) PLC systems HUTTINGER Generator UN2000 A WHG Scrubber AFFINITY ED17 CAM 2P Pump cabinet BUSCH Dry pump (2) Scroll pumps Gases: N2, H2, SiH4, HCL and NH3 MO Baths LUDA-S RM6 (4) NESLAB RTE-111 Gas box with Amonia, N2, N2 Purifier MO: TMGa, TMAI, TEGa, TMin Chiller missing 2005 vintage.
AIXTRON 2000 HT ist eine chemische Reaktorausrüstung für Hochtemperaturabscheidungsprozesse wie MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Dieses Hochdurchsatzsystem ist mit einer Reaktionskammer mit sechs diagonalen Flachplatten-Suszeptoren und einer integrierten Robotersubstrat-Positioniereinheit ausgestattet. Die Reaktionskammer wird durch eine Warmwandheizmaschine temperaturgesteuert und die Substrattemperatur kann durch eine Nachfüllgaseinspritzung geregelt werden. Das Werkzeug verfügt über eine Vielzahl von Ein- und Auslässen, um eine kontinuierliche Gasmischung während der Abscheidung und Robustheit gegen mögliche Druckschwankungen zu gewährleisten. 2000 HT ist in der Lage, im Temperaturbereich von bis zu 1000 ° C zu arbeiten. AIXTRON 2000 HT verwendet auch einen 6-Zoll Quarz-Viewport, der die Ansicht des Abscheidungsprozesses aus der Reaktionskammer ermöglicht. Es kann zur Überwachung und Optimierung der Prozessparameter wie Gasfluss, Temperatur, Druck usw. mittels einer ausgeklügelten Steuerung verwendet werden. Die Fernprogrammierung gewährleistet zudem eine präzise Steuerung des Prozesses. Das integrierte Trockenätzmodell erleichtert zudem die In-situ-Steuerung der Foliendicke. 2000 HT ist entworfen, um den Materialabscheidungsprozess mit hohem Durchsatz und niedrigstmöglichem thermischem Budget zu beschleunigen. Es eignet sich sowohl für ein- als auch mehrschichtige Abscheidungen. Das Gerät ist in der Lage, hochwertige Dünnschichtbeschichtungen komplexer 3D-Formen mit präziser Schichtsteuerung herzustellen. Durch den Einsatz von Hochtemperaturabscheidungstechniken bietet AIXTRON 2000 HT eine wirtschaftliche Fertigungslösung für die Herstellung von Membran- und Halbleiterbauelementen wie GaAs oder GaN-basierten LEDs und Laserdioden. Das System kann sowohl für die Chargen- als auch für die kontinuierliche Produktion eingesetzt werden und ermöglicht eine einfache Bedienung und Wartung.
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