Gebraucht AIXTRON 3000 #9121782 zu verkaufen
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ID: 9121782
Planetary reactor system
P/N: 31010224
(95) Hi volume reactors, 2"
MO-IR3000 Heating unit
MOE-3000 Growth cabinet
MO-V300 Low pressure system
MO-EO Control cabinet
MO-GO Gas blending cabinet
Process materials:
Trimethylaluminum: (ch3)3al
Trimethylgallium: (ch3)3ga
Trimethylindium: (ch3)3in
Dimethylzinc: (ch3)2zn
Phosphine: ph3
Arsine: ash3
MO-R3000 AIX MOCVD Reactor:
Integrated in stainless steel glovebox
Water cooled stainless steel
Aluminum reactor
Quartz plate
Gas distributor
Exhaust gas collector
Hydraulic lift for reactor lid
Double O-ring system
LEYBOLD d1.6 pump
Graphite susceptor:
Current configuration: (95) 2" Wafers
Supply: (4) 8" Wafers
Tools for handling transfer system unit
Mo-IR3000 AIX 3000 infrared heating unit:
(30) IR Stripe heaters
Power control unit (thyristor system)
Current distribution
Fused
Individual control
Electronic control system
Water cooling system
MOE-3000 Growth cabinet:
Glove box with automatic pressure control containing:
Planetary reactor AIX 3000
Inert gas purification system for glove box
Achievable gas purity 1 ppm H2O and O2
Filters regenerative
Control panel for glove box
Low pressure operating unit MO-V3000 AIX 3000
Transfer chamber for reactor parts
Wafer transfer chamber
N2 Blow off gun
Hydraulic system for reactor lid operation
MO-V3000 Low pressure system:
High capacity particulate filter
Pressure sensor
Throttle valve
Pressure control
(2) IF 100 Particle traps
Vacuum valves
Vacuum tweezers
N2 Purge of pump
Dual port MKS pressure readout
PIS Indication system
MO-EO Control cabinet:
Ventilated steel cabinet for electronic control units
Power supplies for reactor heater and electronics
Control panel for reactor temperature with EUROTHERM 818s pid
Control panel for reactor pressure regulation with MKS 652
Control panel for pneumatic valves in gas blending system
Control panel for reactor cooling
Control panel for double O-ring leak monitoring
Control panel for moisture sensor
Safety control:
Hard-wired
Pal programmable logic
Computer control console
Printer
Emergency power off button
Power distribution
Signal distribution
Mo-go gas blending cabinet:
Exhausted steel cabinet
Metalorganic
Hydride sources
Controlled temperature baths
Integrated N2H2 distribution manifold
Asec pressure regulators
Run and vent lines
Auxiliary lines for reactor
Gas foil rotation
Particle filters
Check valves in all gas supply lines
Pneumatic distribution panel
Signal distribution panel
Integrated pd-diffuser.
AIXTRON 3000 ist ein CVD-Reaktor (Chemical Vapor Deposition), der sich der Herstellung von Halbleitermaterialien höchster Qualität widmet und bei der Herstellung fortschrittlicher elektronischer Geräte verwendet wird. Der modulare Aufbau und die einzigartigen patentierten Eigenschaften machen es ideal für den Einsatz in Laborumgebungen und in größeren Produktionsabläufen. 3000 besteht aus einer Abscheidekammer, die eine Elektronenstrahlpistole mit einer einzigen Quelle und zwei Zielelektroden enthält. Die Energiequelle ist ein 650 ° C isolierter Elektronenstrahl, der für die Herstellung von Qualitätsmaterial optimiert ist. Innerhalb der vakuumdichten Kammer wirken energetische Elektronen aus der Pistole mit dem gasförmigen Reaktionsmaterial zusammen, um eine Materialabscheidung auf dem Zielsubstrat zu erzeugen. Die resultierende Reaktion ist sehr gleichmäßig und wiederholbar und bildet die Grundlage für einen kontrollierten Produktionsprozess. AIXTRON 3000 wurde entwickelt, um ein unübertroffenes Maß an Kontrolle über die Abscheidungsumgebung zu liefern, wodurch Parameter wie Druck, Temperatur und Abscheiderate nach Belieben genau überwacht und angepasst werden können. Zu den weiteren Features gehören ein hochmodernes automatisiertes Gasversorgungssystem und fortschrittliche Wafer-Handling-Roboter für schnelle und effiziente Substrattransfers. AILTRON 3000 Materialien gibt es in einer Vielzahl von Optionen, einschließlich der Verbindungen der Gruppen IV, III-V und II-VI. Diese Verbindungen sind speziell formuliert, um die Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit des Abscheidungsprozesses zu gewährleisten und die höchstmögliche Qualität der Geräteherstellung zu gewährleisten. Der Reaktor hat auch die Fähigkeit, eine Reihe von Substraten, einschließlich Siliziumoxid, Aluminiumoxid und Nitrid zu integrieren. AIXTRON 3000 hat eine breite Palette von Anwendungen in der Produktion von fortschrittlichen elektronischen Geräten. Bemerkenswerte Anwendungen sind hocheffiziente Infrarot-Detektoren, optische Datenspeicher, fortschrittliche ultradünne Filme und transferlose Lithographie. Es wurde auch für die erfolgreiche Herstellung von graphenbasierten Materialien, für Anwendungen in der Biotechnologie und Nanoelektronik verwendet.
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