Gebraucht AIXTRON AIX 200/4 #9065747 zu verkaufen

AIXTRON AIX 200/4 ist ein Niederdruck (LP) metalorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD) Reaktor für die Abscheidung von Dünnschichtmaterialien und Nanomaterialien ausgelegt. Der AIX 200/4 ist ein kommerzielles MOCVD-Tool, das seit vielen Jahren zum Nachweis von Nanowachstum, Nanokristallwachstum und vielen Dünnschichtabscheidungen eingesetzt wird. Dieser Reaktor bietet eine große Vielseitigkeit in Bezug auf Temperatur und Druckregelung und wurde verwendet, um die Abscheidung auf vielen verschiedenen Substraten zu ermöglichen. Der AIX 200/4 Reaktor enthält ein Quarzreaktionsrohr, in dem das Wachstum dünner Filme stattfindet, sowie eine separate Vorläuferinjektionsanlage und eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP). Das Quarzrohr ist dort, wo die Abscheidung stattfindet und wird auf die für das Wachstum erforderliche Temperatur erhitzt. Das Vorläufereinspritzsystem versorgt die Reaktanten und dient als Gasfördereinheit. Die Gase strömen durch einen Durchflußmesser, der eine genaue Menge jedes Gases, typischerweise stationär, an das Reaktionsrohr abgibt. Die ICP-Quelle wird dann verwendet, um ein hochdichtes Plasma zur Anregung von Reaktantenarten zu erzeugen, wodurch Nanostrukturen oder dünne Filme wachsen können. Die AIX 200/4 beinhaltet auch Temperaturregelungsmöglichkeiten, einschließlich direkter Erwärmung des Quarzreaktionsrohrs, wodurch eine Temperaturregelung von ~ 500 ° C möglich ist. Dies ermöglicht das Wachstum eines Bereichs von Halbleiter- und Metalloxiden. Die AIX 200/4 besitzt auch eine Druckregelfähigkeit, mit der die Atmosphäre im Reaktionsrohr gesteuert werden kann. Dies ermöglicht die Abscheidung unter unterschiedlichen atmosphärischen Bedingungen, wie Niedrig- und Hochvakuum oder Ultrahochvakuum. Das AIX 200/4 Werkzeug ist eine vielseitige und robuste MOCVD-Abscheidemaschine, die hochwertige Folien und Nanomaterialien herstellen kann. Es ist ein großartiges Werkzeug für eine Reihe von Anwendungen und kann zur Optimierung der Abscheidebedingungen für die Entwicklung von Dünnschichtgeräten verwendet werden. Es kann auch verwendet werden, um Materialwachstumsmechanismen zu untersuchen und Einblick in die Plasmaphysik zu gewinnen.