Gebraucht AIXTRON AIX 200 #148651 zu verkaufen

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Hersteller
AIXTRON
Modell
AIX 200
ID: 148651
Wafergröße: 2"
LP-MOCVD system, 2" For sophisticated heterostructures such as: GaAs, InP, GaInAS, GaInAsP laser and multi quantum well structures Single chamber: 2 x 2" High purity gas blending system: tubing and components electropolished MFC and electronic pressure regulators response time: 1.5 second Temperature control for MO sources: better than 0.05°C Susceptor for (2) 2" wafers Uniform substrate temperature: maximum deviation 0.4°C / cm (1°C / inch) Heating and cooling times: 10 minutes Low pressure option: rotary pump with Fomblin oil and chemical oil filter Switching time: 0.1 second Process control: step programmable, 0.1 second increments Gas velocities in the growth area: maximum 5 m/s (200 inch / s) Total flow rate: standard up to 20 lpm Process times for high output: 8 runs per 8 hour day possible 32 bit computer with floppy and hard disks Safety interlock system operating even at computer down times Glovebox.
AIXTRON AIX 200 ist ein hochentwickelter und vielseitiger Reaktor, der von AIXTRON SE, einem deutschen Hersteller von Halbleiterabscheidungsgeräten, entwickelt wurde. Es handelt sich um eine zweizonige, leistungsstarke, automatisierte Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) -Ausrüstung, die speziell zum Abscheiden von Verbindungen auf Substraten entwickelt wurde, um Halbleiterbauelemente höchster Qualität herzustellen. AIX 200 kann Open-Atmosphere MBE (OAMBE) oder Ultra-High Vacuum (UHV) MBE bereitstellen. Es unterstützt eine breite Palette von Vakuumabscheidungsprozessen, wie Verdampfen, Sputtern und chemische Dampfabscheidung (CVD). AIXTRON AIX 200 unterstützt auch horizontale und vertikale Abscheidungsmodi, wodurch eine breite Palette von Materialien abgeschieden werden kann, darunter III-V, II-VI und eine Vielzahl anderer Verbindungen. AIX 200 ist mit einem AI XTEC Gassteuerungssystem ausgestattet, das eine überlegene Gassteuerung, Vakuumsteuerung bietet und eine größere Auswahl an Gaszuführungsoptionen bietet, mit einem maximalen Gasstrom von 300 sccm und einem einstellbaren Feinstrom von 0,1 sccm oder weniger. Der AIXTEC bietet eine präzise Steuerung der Druckniveaus sowohl im UHV- als auch im OAMBE-Modus. Darüber hinaus verfügt AIXTRON AIX 200 über eine effiziente Wärmemanagementeinheit, mit der Temperatureinstellungen mit hoher Präzision und Genauigkeit manipuliert werden können. Dies geschieht durch die fortschrittliche In-situ-Pulver-Set-Point-Reservierungs- und Verteilungseinheit von AIX 200, die sicherstellt, dass alle Substrate und Komponenten großflächig konsistent bleiben. AIXTRON AIX 200 ist auch mit einer einstellbaren Parametereinheit ausgestattet, in der Parameter wie eingehender Gasdruck, Gas-RMS-Durchfluss, Abscheidetemperatur, Überwachungssysteme und Abscheidezeit eingestellt werden können. AIX 200 bietet ausgezeichnete Präzision und Genauigkeit, da es in der Lage ist, wiederholbare Abscheidungsergebnisse über lange Zeiträume zu erzeugen, mit der Fähigkeit, die Abscheidungsrate und Dicke anzupassen. Seine Drahtgitter-Heizmaschine erhöht die Genauigkeit und Präzision der Abscheidung weiter. Darüber hinaus verfügt AIXTRON AIX 200 über eine kinematische Halterung, die sicherstellt, dass alle Neigungs-, Azimut- und Rotationsparameter für genaue und wiederholbare Abscheidungsergebnisse beibehalten werden. Insgesamt ist AIX 200 eine gute Wahl für die Halbleiterherstellung und bietet überlegene Leistung, wiederholbare Ergebnisse sowie höchste Gaskontroll- und Abscheidungsgenauigkeit. Das effiziente und zuverlässige Thermomanagementwerkzeug und die einstellbare Parametereinheit machen AIXTRON AIX 200 zu einer großartigen Option für die Herstellung hochwertiger und hochpräziser Halbleiterbauelemente.
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