Gebraucht AIXTRON AIX 2400 G3 HT #293826515 zu verkaufen

AIXTRON AIX 2400 G3 HT
Hersteller
AIXTRON
Modell
AIX 2400 G3 HT
ID: 293826515
MOCVD System.
AIXTRON AIX 2400 G3 HT ist ein revolutionäres Werkzeug für die Entwicklung und Herstellung von III-V-Verbundhalbleitermaterialien. Dieser Reaktor ermöglicht die Entwicklung von Materialien mit Eigenschaften, die die herkömmlicher Halbleitermaterialien übersteigen. AIXTRON AIX 2400 G3/HT ist ein horizontaler Duschkopfreaktor mit einem temperaturstabilisierten Substratfutter. Es arbeitet in einer konstanten Temperatur- und Druckumgebung und erzeugt gleichmäßiges Wachstum auf den Substraten. Das horizontale Spannfutter eliminiert alle Effekte aus einem externen Gravitationsfeld. Das Duschkopfsystem zerstäubt das Vorläufergas und liefert den Substraten eine umfassende Belichtung. Alle Komponenten des Reaktors können temperaturgesteuert werden, einschließlich der Wände, des Duschkopfes und des Substratfutters. Der Duschkopf von AIX 2400 G3 HT soll eine gleichmäßige Verteilung des Ausgangsmaterials auf den Substraten ermöglichen. Die Zerstäubung und Musterbildung des Ausgangsmaterials wird durch eine Reihe verschiedener Parameter gesteuert. Das Ausgangsmaterial wird über Gas oder Flüssigkeit dem Duschkopf zugeführt, der das Ausgangsmaterial gleichmäßig verteilt. AIX 2400 G3/HT Reaktor hat auch in-situ Reinigungsfähigkeit. Dadurch kann das Substrat zwischen den Läufen gekühlt und gereinigt werden. Dieses Verfahren erhöht die Qualität und Genauigkeit des gewachsenen Materials und reduziert auch die Kreuzkontamination auf den Wafern. AIXTRON AIX 2400 G3 HT ist das ideale Werkzeug für die Entwicklung von III-V-Verbundhalbleitermaterialien. Es bietet eine gleichmäßige, reproduzierbare Abscheidung unter konstanten Temperatur- und Druckbedingungen. Die In-situ-Reinigungsfähigkeit gewährleistet eine höhere Genauigkeit und Qualität des gewachsenen Materials und seine effiziente Zerstäubung ermöglicht eine umfassende Belichtung der Substrate. Dieser revolutionäre Reaktor ist wesentlich für das Wachstum hochwertiger III-V-Verbindungshalbleitermaterialien mit verbesserten optischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften.
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