Gebraucht AIXTRON AIX 2600 G3 HT #293596198 zu verkaufen

AIXTRON AIX 2600 G3 HT ist ein hochmoderner Reaktor mit hohem Durchsatz für organische chemische Metalldampfabscheidung (MOCVD). Es ist mit Niederdruck-, Hochleistungsgeneratoren ausgestattet, die hohe Abscheideraten für dicke, komplexe und gleichmäßige Dünnschichtbeschichtungen mit ausgezeichneter Stufendeckung erzeugen. Mit der einzigartigen Inverted-L-Geometrie versetzt es das Substrat in eine direkte Linie auf dem Weg zum Wachstum von Halbleiterdünnschichten. AIX 2600 G3 HT nutzt AIXTRON Excellence in MOCVD, der dominierenden Dünnschichtabscheidungstechnologie, die für die Großproduktion von Gruppe III-V Verbundhalbleitermaterialien und -bauelementen verwendet wird. Dieser Reaktor bietet eine hohe Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit von dünnen Schichten durch die erhöhte Platzierung von Gaseinlässen und eine verbesserte Kontrolle der Abscheidungsparameter bei gleichzeitiger Gewährleistung eines hochhomogenen und kostengünstigen epitaktischen Wachstums. Der allgemeine Prozess beginnt, wenn der Inverted-L-Reaktor mit einer Ein- oder Mehrwaferkassette beladen wird. Die halbautomatischen Be-/Entladesysteme sorgen für einen sauberen und unterbrechungsfreien Substratwechsel. Ein Wasserstoff-Arbeitsgas wie H2, N2 oder Ar ermöglicht ggf. eine Erwärmung des Substrats durch das bordeigene frequenzgesteuerte Mikrowellensystem auf bis zu 1100 ° C bei maximaler Homogenität des Temperaturfeldes. Der Reaktor ist zusätzlich mit einem Gasblasen- und Gasverteiler ausgestattet. Die Anwendung einer Gas Source Molecular Beam Epitaxy (GSMBE) mit einer nach oben gerichteten Quarzdusche, die die schnell füllenden atomaren und molekularen Vorläufer freisetzt, ist der Schlüssel zur Erzielung von Gleichmäßigkeit und Reproduzierbarkeit der abschließenden abgeschiedenen Schichtabscheidung. Der GSMBE schafft ein gleichmäßiges Filmwachstum und eine ausgezeichnete Stufenabdeckung und ermöglicht gleichzeitig die Verwendung geeigneter Vorläufer. Ferner können Schichten wie Pufferschichten, Kontaktschichten, aktive Schichten und Passivierungsschichten hinzugefügt werden, um die gewünschte Gerätearchitektur aufzubauen. Als Endprodukt liefert AIXTRON AIX 2600 G3 HT voll integrierte, leistungsstarke mikroelektronische Geräte aus speziellen epitaktischen Schichten mit Metallkontakten. Dieser hochentwickelte Reaktor ist das perfekte Werkzeug, um bis zu 200mm GaAs-basierte optoelektronische, Hochleistungs- und Hochfrequenz-Mikrowellengeräte zu produzieren. Es ermöglicht eine überlegene Abscheidegeschwindigkeit und kurze Prozesszeiten, die den Produktionsanforderungen der Halbleiterindustrie entsprechen.