Gebraucht AIXTRON AIX 2600 G3 #9393354 zu verkaufen

AIXTRON AIX 2600 G3 ist ein Hochleistungs-Epitaxiereaktor für Forschung und Entwicklung. Es ist eine vielseitige Ausrüstung, die in der Lage ist, eine Vielzahl von Materialien und Prozessen wie Hochtemperaturglühen, in situ Silizidierung und ultradünne Schichtabscheidung zu handhaben. Das System wurde entwickelt, um die gemeinsamen Anforderungen an Substratgröße, Temperaturregelung und Wiederholbarkeit zu erfüllen, die oft erforderlich sind, um die Leistung des Zielgeräts zu erreichen. AIXTRON AIX 2600G3 ist in der Lage, im Niederdruck- (< 10 mbar) und Tieftemperaturbetrieb (< 250 ° C) sowie im Hochdruck- (> 10 mbar) und Hochtemperaturbetrieb (> 1000 ° C) zu arbeiten, was eine zuverlässige Prozesssteuerung und -optimierung ermöglicht. Die fortschrittliche Temperatur- und Durchflussregeleinheit gewährleistet eine gleichmäßige Epitaxie für unbeschädigte Basisschichten und die Maschine bietet eine hochgenaue Positionierung für maximale Materialausnutzung und -durchsatz. AIX 2600 G3 verfügt über einen leistungsstarken Touchscreen-Controller, der eine intuitive Benutzeroberfläche und Echtzeit-Überwachung von Prozessparametern wie Druck, Temperatur und Durchfluss bietet. Dadurch wird sichergestellt, dass Benutzer die volle Kontrolle über den Prozess haben und die Ergebnisse in Echtzeit überwachen können. Das Gerät ist zudem mit einer Vielzahl von Sicherheitsmerkmalen ausgestattet, wie einer Übertemperaturverriegelung und einem umgekehrt beheizten Zonensensor, um die Sicherheit des Personals und der Materialien zu gewährleisten. AIX 2600G3 wurde mit einem Fokus auf langfristige Zuverlässigkeit und Leistung, geringe Wartungskosten und ein hohes Maß an Prozesskontrolle konzipiert. Es ist ein vielseitiges, leistungsstarkes Werkzeug, ideal für den Einsatz in der Forschung und Entwicklung von substratbasierten epitaktischen Prozessen wie Dünnschichtabscheidung, Glühen und Dotierung. Es eignet sich auch für fortgeschrittene Anwendungen wie Kavitations-, Elektronenstrahl- und Ionenimplantationsprozesse.