Gebraucht AIXTRON AIX 2600 G4 HT #9160106 zu verkaufen

AIXTRON AIX 2600 G4 HT ist ein Hochleistungsreaktor mit hohem Durchsatz für epitaktisches Wachstum fortschrittlicher Halbleitermaterialien. Es verfügt über eine Reihe von Schneidenmerkmalen, darunter eine voll beheizte Source-Kammer, ein Mehrkanal-EF-Astigmeter, ein pECVD-Abscheidungssystem und eine Vielzahl von planetarisch montierten Substrathaltern. Diese Kombination spielt eine Schlüsselrolle, um sowohl eine hohe Effizienz als auch eine Hochtemperatur-Prozesssteuerung zu ermöglichen. AIX 2600 G4 HT verfügt über eine große Quellkammer aus einem dickwandigen Metalloxid-Quarzrohr, das mit einem Array von unabhängig gesteuerten Mehrzonen-Elektroöfen beheizt wird. Ein einstellbares Gasströmungssystem ermöglicht eine präzise Steuerung der in den epitaktischen Prozessen verwendeten Reaktantgase. Die Quellkammer kann eine Spitzentemperatur von bis zu 1200 ° C erreichen. Die elektronische Speditionseinheit (EFU) des Reaktors ist ein Mehrkanal-astigmatisches Laserinterferometer. Diese Vorrichtung ermöglicht eine präzise Steuerung des Quellkammerdrucks und gibt Rückmeldung über den Zustand der Wachstumsumgebung zur Echtzeit-Prozessüberwachung und -optimierung. Darüber hinaus ist AIXTRON AIX 2600 G4 HT mit einem planetenmontierten Substrathalter ausgestattet. Der Aufbau beinhaltet einen Teleskopadapter für einfache Handhabung und Flexibilität in der Substrathaltung und ermöglicht gleichzeitig die gleichzeitige Verteilung verschiedener Reagenzien auf mehrere Substratpositionen. Diese Multipositionsfähigkeit ermöglicht eine höhere Prozessflexibilität und Gleichmäßigkeit. Die im Reaktor aufgewachsenen epitaktischen Schichten können durch die Systeme pECVD oder plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung weiter charakterisiert und überwacht werden. Diese Systeme ermöglichen eine Echtzeitanalyse der Zusammensetzung und Dicke der Schichten direkt aus der Wachstumskammer. Diese fortschrittliche Abscheidungstechnik nutzt ein hochfrequentes elektrisches Feld, um kleine Mengen an Reaktantgasmolekülen auseinander zu brechen, die für die Abscheidung von dielektrischen Filmen sowie dünnen Oxiden geeignet sind. Abschließend ist AIX 2600 G4 HT ein leistungsstarker Reaktor für das epitaktische Wachstum fortgeschrittener Halbleitermaterialien. Seine innovativen Eigenschaften wie der erhitzte Quellraum, Mehrkanalastigmatismuslaser interferometer, das pECVD Absetzungssystem und die Vielfalt von planetarisch bestiegenen Substrathaltern machen es ideal für die hohe Leistungsfähigkeit und Hoch-Temperaturprozesssteuerung.