Gebraucht AIXTRON AIX 2800 G4 HT #9064064 zu verkaufen
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ID: 9064064
Weinlese: 2010
GaN MOCVD System
EpiTT
Second wave length: 405 nm
Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, TMIn-1, TMIn-2, TEGa-1
Thermal baths:
(5) RM 6S
(2) RM 25S
2010 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4 HT ist ein Hochdurchsatzreaktor (HT) für eine Vielzahl von Anwendungen und Materialien. Es ist eine leistungsfähige, kostengünstige Alternative zu herkömmlichen Halbleiterproduktionssystemen. AIXTRON AIX 2800G4-HT nutzt AIXTRON branchenführende MOCVD- und HDPCVD-Technologien, um höhere Waferdurchsatzleistungen und Skalierbarkeit zu bieten. Der AIX 2800 G4 Reaktor ist mit einer Doppelkammerarchitektur gebaut. Die obere Kammer ist ein MOCVD-Bereich mit hoher Temperatur, während die untere Kammer ein HDPCVD-Bereich mit niedriger Temperatur ist. Alle Reaktorkomponenten sind in einer isolierten Umgebung untergebracht und hermetisch abgedichtet, um die für eine effektive Abscheidung erforderlichen genauen Temperatur- und Druckniveaus aufrechtzuerhalten. AIX 2800G4 HT ist so konzipiert, dass es einfach zu installieren, zu bedienen und zu warten ist. AIX 2800 G 4 HT bietet erstklassige Sicherheitsvorkehrungen, einschließlich Top-End-Auspuff, Onboard-Diagnosesoftware, programmierbare Parameter und intelligente Prozessüberwachung. Darüber hinaus ist AIXTRON AIX 2800 G 4 HT in der Lage, eine breite Palette von Materialien sowohl in hoher Qualität als auch in großen Volumina abzuscheiden. AIX 2800 G4 HT ist in der Lage, Halbleitermaterialien mit einer Wachstumsrate von bis zu 20 um/h herzustellen. AIX 2800G4-HT bietet Platz für Wafer bis zu 6 "Größe und bietet 3D-steuerbare Verhältnisse für eine präzise Abscheidungssteuerung. Darüber hinaus können AIXTRON AIX 2800G4 HT-Besitzer ihre Geschwindigkeits-, Temperatur- und Druckeinstellungen anpassen, um den Abscheidungsprozess für ihre spezifischen Anwendungsanforderungen zu optimieren. AIXTRON AIX 2800 G4 HT verfügt auch über erweiterte Plasmabearbeitungsfunktionen, darunter schnelles Radfahren und reaktive Gaseinspritzung. AIXTRON MCVD und HDPCVD Technologien eignen sich perfekt für Materialien wie Silizium, Germanium und Silizium-Germanium. Darüber hinaus reduziert die AIXTRON proprietäre Pulsed-System-Technologie die Abscheidezeiten und ermöglicht AIXTRON AIX 2800G4-HT, die gewünschten Prozessergebnisse in kürzerer Zeit zu erzielen. In der Zusammenfassung AIX 2800G4 ist HT ein starker und effizienter Doppelraum high-temperature/low-temperature zu einer Vielfalt von Halbleiterabsetzungsprozessen fähiger Reaktor. AIX 2800 G 4 HT ist in der Lage, Wafer bis zu einer Größe von 6 "zu handhaben, Materialien von Silizium bis Germanium zu verarbeiten und die genaue Kontrolle für Halbleitermaterialien zu gewährleisten.
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