Gebraucht AIXTRON AIX 2800 G5 HT #9222508 zu verkaufen

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Hersteller
AIXTRON
Modell
AIX 2800 G5 HT
ID: 9222508
Weinlese: 2011
MOCVD System GaN Chember: 56x2"/ 8x6" Temperature monitor: Photrix / EPI TT Hydride lines: NH3-1 / NH3-2 / SiH4 MO Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAI-1, Cp2Mg-l, Cp2Mg- 2, TMIn-1, TMIn-2, TEG-1, TEG-2 Main body RF Generator: 1210mm(L) x 800mm(W) x 2300mm(H) Main pump: EBARA ESA80W-HDF Pump: (2) Scroll pumps Monitor: Photrix LWL Luxtron Monitor: EpiTT x GS x 405nm Wiring: 4 Wire + Ground Power: 400/230VAC, 3-Ph 2011 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G5 HT ist ein Hochdurchsatz-metalorganischer Dampfphasenepitaxie (MOVPE) -Reaktor. Es ist für das Wachstum und die Keimbildung von III-V-Verbindungshalbleitermaterialien wie Galliumarsenid und Indiumgalliumarsenid konzipiert, die bei der Herstellung von Bauelementen für optoelektronische Bauelemente wie LEDs und Solarzellen eingesetzt werden. AIXTRON AIX 2800G5 HT ist eine einheitliche Ausrüstung, die fortschrittliches Reaktordesign, funktionsreiche Hardware und native Steuerungssoftware kombiniert und eine hervorragende Leistung bei gleichzeitig geringeren Wartungskosten bietet. Sie weist eine ringförmige Reaktorkammer auf, die ein gleichmäßiges Materialwachstum bei gleichmäßiger Schichtqualität über großflächige Wafer ermöglicht. Fünf separate Quellen von Vorläufern und Dotierstoffen können unabhängig voneinander gesteuert werden, um Wachstumsparameter zu optimieren, während die eingebauten Heizungen, Gasversorgungssysteme und Druckregler eine präzise Einstellung der Durchflussraten ermöglichen. Das System umfasst auch Netzteile, ein Abgasgebläse und eine Kühleinheit. AIX 2800 G5 HT bietet eine fortschrittliche Heizmaschine, die eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb der Rotationskammer ermöglicht. Es bietet eine sehr genaue Regelung der Temperatur mit einstellbaren Rampenraten, so dass auch große Wafer perfekt homogene Temperaturen aufweisen. Seine Prozesssteuerung gewährleistet hochwertige epitaktische Schichten für komplizierte Epitaxiestrukturen mit mehreren Heteroübergängen mit engen Schichttoleranzen von weniger als 2 Nanometern. AIX 2800G5 HT bietet auch eine breite Palette von zusätzlichen Funktionen, die die Leistung des Tools verbessern. Seine präzise Ausrichtung Asset erleichtert Wafer Montage auf dem Quarz oder Graphit Suszeptor unter präzisen Winkeln, um obere Schicht Gleichmäßigkeit zu ergeben. Das Modell verfügt auch über eine fortschrittliche Kalibriersoftware, die eine genaue und wiederholbare Positionierung der Probenplatte ermöglicht. Um die Sauberkeit im Inneren des Gerätes zu erhalten, sorgt sein hocheffizientes Filtersystem dafür, dass die Vorläufer und Dotierstoffe vor ihrer Einführung in den Reaktor sauber sind. Außerdem hilft ein gasdynamischer Verschluss, Kontaminationen durch ausgelaufenes Vorläufergas oder Nebenprodukte zu reduzieren. Insgesamt ist AIXTRON AIX 2800 G5 HT ein fortschrittlicher Hochgeschwindigkeits-MOVPE-Reaktor, der sich ideal für die Herstellung von großvolumigen III-V-Verbindungshalbleiterbauelementen eignet. Es bietet überlegene Prozess- und Schichtsteuerung mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, Stabilität und Wiederholbarkeit, alles in einer intuitiven und integrierten Einheit.
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