Gebraucht AIXTRON AIX G10 SiC CVD #293802333 zu verkaufen

AIXTRON AIX G10 SiC CVD ist ein hochmoderner CVD-Reaktor, der von AIXTRON SE, einem führenden Anbieter von Abscheideanlagen für die Halbleiterindustrie, entwickelt wurde. Dieser Reaktor ist speziell für die Abscheidung von Siliciumcarbid (SiC) -Dünnfolien konzipiert, die eine breite Palette von Anwendungen in verschiedenen Branchen wie Leistungselektronik, Automobil, Luft- und Raumfahrt und Telekommunikation haben. Der AIX G10 SiC CVD-Reaktor verwendet ein horizontales Reaktordesign, das einen hohen Durchsatz und eine gleichmäßige Filmabscheidung auf großflächigen Substraten ermöglicht. Dieser Reaktor ist mit einer Multi-Wafer-Trägerausrüstung ausgestattet, die mehrere Wafer gleichzeitig aufnehmen kann, was die Produktivität und Effizienz im Abscheidungsprozess maximiert. Das System umfasst eine Gashandhabungseinheit, eine Vorläufer-Fördermaschine und ein Temperaturregelwerkzeug, um eine präzise Kontrolle der Abscheidungsparameter zu gewährleisten. Eines der Hauptmerkmale des AIXTRON AIX G10 SiC CVD Reaktors ist seine Fähigkeit, hochwertige SiC-Folien mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit und Reinheit abzuscheiden. Der Reaktor arbeitet bei hohen Temperaturen (typischerweise über 1200 ° C) und niedrigen Drücken (typischerweise im Bereich von 1-100 mbar), um die Zersetzung von Vorläufergasen und die Bildung kristalliner SiC-Filme zu erleichtern. Die Verwendung einer Warmwandreaktorkonstruktion minimiert die Seitenwandabscheidung und Verschmutzung, was zu hochwertigen Folien mit geringen Fehlerdichten führt. AIX G10 SiC CVD Reaktor ist kompatibel mit verschiedenen Vorläufergasen wie Silan (SiH4) und Ethylen (C2H4), die üblicherweise für die Abscheidung von SiC-Folien verwendet werden. Die Anlage ermöglicht eine präzise Kontrolle der Durchflussraten, Drücke und Temperaturen der Vorläufergase und ermöglicht die Abscheidung von SiC-Folien mit maßgeschneiderten Eigenschaften wie Dicke, Zusammensetzung und Dotierung. Neben SiC-Dünnschichten kann AIXTRON AIX G10 SiC CVD-Reaktor auch zur Abscheidung anderer Materialien wie Siliziumdioxid (SiO2) und Siliziumnitrid (Si3N4) für Anwendungen in fortgeschrittenen Halbleiterbauelementen eingesetzt werden. Der Reaktor kann mit fortschrittlichen Prozessüberwachungs- und Kontrollsystemen integriert werden, um eine gleichbleibende Folienqualität und Reproduzierbarkeit zu gewährleisten. Insgesamt stellt der AIX G10 SiC CVD-Reaktor eine hochmoderne Lösung für die Abscheidung hochwertiger SiC-Dünnschichten mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit und Reinheit dar. Das fortschrittliche Design, die präzise Kontrolle der Abscheidungsparameter und die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Vorläufergasen machen es zu einem idealen Werkzeug für Forschung und Entwicklung sowie die Produktion von SiC-basierten Bauelementen in der Halbleiterindustrie und darüber hinaus.