Gebraucht AIXTRON AIX G5 HT #9074863 zu verkaufen
Es sieht so aus, als ob dieser Artikel bereits verkauft wurde. Überprüfen Sie ähnliche Produkte unten oder kontaktieren Sie uns und unser erfahrenes Team wird es für Sie finden.
Tippen Sie auf Zoom
Verkauft
ID: 9074863
Weinlese: 2011
MOVPE Planetary Reactor
Includes Transfer Module
Application: 14x4" wafer deposition
Planetary Reactor System:
Cabinet with lining
Stainless steel reactor chamber: water-cooled, vertical lid lifting mechanism
High Growth Rate (HGR) injector: water-cooled, SiC coated graphite planetary disk, sandwich design
Max. light-pipe temperature: 1250ºC
SiC coated graphite wafer holder (satellite) with Gas Foil Rotation
(2) In-situ monitoring viewports from top
Ferro-fluidics feedthrough for main rotation with rotation monitoring
Center purge line
Thermostated reactor chamber ceiling
Graphite exhaust collector and outer liner to prevent deposition on chamber wall
Individual Satellite Rotation Drive (EqiSat)
Glove box
Main Gas Blending Unit
RF-Heating Unit
Vacuum Cleaner for glove box
Vacuum System
Large Particle Trap for nitride application
Process pump
Automated satellite transfer system for high temperature operation (600ºC)
Computer Control System
Remote PC
Safety System
Gas Handling System:
(5) MO-G1 Standard Metal-Organic Channel (2xTMGa/H2, 2xTEGa/N2, 1xTMAI/H2)
(2) MO-G1-D Double Standard Metal-Organic Channel (2xCp2Mg/H2, 2xTMIn/N2)
(1) MO-G2-T Triple Standard Gas Channel (3xNH3)
(1) MO-G3_Double Dilution Metal-Organic Channel (N.N./N2)
(1) MO-G4 Double Dilution Gas Channel with additional pusher (1xSiH4/H2)
(1) MO-G5-10M Vacuum Lines
(3) MO-G6 Dummy Line (2xMO, 1xHydride Top run/vent)
(1) N2/H2 Separation of two MO-Stacks
(2) N2/H2 Mixture unit for one Run/Vent Stack (1xMO Run/Vent)
(2) MO-Differential Vent-Run Pressure Balancing (2xMO Run/Vent)
(2) Upgrade Thermo Bath
MO-Standard Gas Channel (5% Cl2/N2 for reactor clean)
EpiCurve TT TWO:
Emissivity corrected pyrometry at 950nm
Individual wafer measurement of surface temperature
High position resolution
Real-time measurement
Temperature accuracy: +/-1K
Growth rate measurement at selectable second wavelength: 950 +405nm for GaN
19" Electronic controller, including light source and detector
User manual and CD software
Purification:
(2) Moisture Sensor (H2, N2):
DP measurement range possible down to -120ºC (1ppb)
Integration of Read-Out Value into control system
Purifier Cl2
Extensions:
Vacuum Tweezer
N2 gun for glove box
Cl2 Scrubber: Cleansorb CS200SE
2011 vintage.
AIXTRON AIX G5 HT ist ein Hochleistungs-, Hochdurchsatz-Metall-organische chemische Dampfabscheidung (MOCVD) Reaktor für die Herstellung von fortschrittlichen Materialien und Bauelementen wie Halbleiter verwendet. Der Reaktor verwendet hochentwickelte Verfahren, um die korrekte Belichtung verschiedener Materialien mit den Plasma- und Substratkammerkomponenten zu gewährleisten. Wichtige Anwendungen AIXTRON AIX G 5 HT ist in der Lage, eine breite Palette von Materialien kostengünstig herzustellen. Es ist in der Industrie für seine hohe Selektivität auf verschiedenen Materialsubstraten bekannt, von Silizium bis hin zu Hochleistungsmaterialien wie Galliumarsenid für Elektronik- und Optoelektronik-Anwendungen. Darüber hinaus ermöglichen stark reproduzierbare Produktionsprozesse und Prozesskontrollen eine erhöhte dimensionale und strukturelle Kontrolle und großflächige Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Folien. G5 HT Programmierbare Prozesstechnologien AIX G5 HT bietet eine Reihe von Prozesstechnologien, die für den Erfolg jeder Materialabscheidung von entscheidender Bedeutung sind. Die programmierbaren Abscheidungsquellen ermöglichen es dem Anwender, mit verschiedenen reaktiven Spezies zu arbeiten, während die Gaszuführungssysteme den Einsatz von Trägergasen zur Zuführung der reaktiven Spezies in die Reaktionskammer ermöglichen. Darüber hinaus können Hochfrequenzgeneratornetzteile vollständig kundenspezifische Impulswellenformen erzeugen, um die Haftung zu erhöhen und die Gleichmäßigkeit der Filme zu verbessern. Plasmaquellen und Substratheizung Die Hochleistungs-Plasmaquelle und fortschrittliche Substratheiztechnik in AIX G 5 HT ermöglicht eine präzise Folienproduktion bei besserer Kontrolle der chemischen, strukturellen und mechanischen Zusammensetzung der Folien über große Flächen. Die Plasmaquelle im G5 HT ist leistungsfähig genug, um schnelle und zuverlässige Ätz- und Abscheidungsprozesse zu erreichen, die für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung sind. Sicherheit und Compliance AIXTRON AIX G5 HT ist in voller Übereinstimmung mit den einschlägigen Sicherheitsvorschriften konzipiert, um einen sicheren Betrieb und eine optimale Sicherheit für das Bedienungspersonal zu gewährleisten. Darüber hinaus wird der Reaktor überdrückt und unter Druck gesetzt, um eine schnelle Evakuierung von Gefahrstoffen und Dämpfen zu ermöglichen. Schließlich ist AIXTRON AIX G 5 HT auf Energieeffizienz ausgelegt und kann im halbdichten Modus arbeiten, um lange Prozesszeiten zu gewährleisten.
Es liegen noch keine Bewertungen vor