Gebraucht AIXTRON Crius 30 X 2" #9032566 zu verkaufen

Hersteller
AIXTRON
Modell
Crius 30 X 2"
ID: 9032566
Weinlese: 2007
CCS/IC MOCVD GaN system Electrical cabinet Gas mixing cabinet Reactor cabinet Glove box cabinet Heater power supply unit Heat exchanger Vacuum system Temperature range: Storage: 10º-50º C; During condition: 15º-25º C Relative humidity: Storage: 30-80%; 45-80% Voltage: 400 V +/- 5% (3/N/PE); 208 V +/- 5% (3/N/PE) Frequency: 50 Hz +/- 1% for 400 V; 60 Hz +/- 1% 208 V Power consumption: Approx. 28 kVA for system; approx. 110 kVA for power supply, cabinet Max power consumption: 110 kVA Gas mixing cabinet/electrical cabinet: 2 ventilation ducts, ∅250mm => 750 m3/h each Process gases: Type of gas: e.g. NH3, HCl Purity: ≥ 5.0 N (free of condensate) Inlet pressure range: 3, 3.5 bar Pneumatic supply: Quality: Clean, dry 5 um filtered Pressure: 5,7 bar Temperature: Approx. 20º C Cooling water: Inlet temperature: 17-25º C Temperature stability: +/- 1º C Inlet pressure (max): 6.5 bar Outlet pressure (max): 2.5 bar Pressure difference inlet/out: > 4 bar Minimum total flow: 50 l/min RF generator board is nonfunctional 2007 vintage.
AIXTRON Crius 30 X 2 ist ein zweiplattiger, plasmaverbesserter chemischer Dampfabscheidungsreaktor (PECVD). Es wird zur Abscheidung hochwertiger Dünnschichten wie Oxide und Nitride auf eine Vielzahl von Substraten wie Silizium, Metalle, Dielektrika und Polymere verwendet. Das Zwei-Platten-Design ermöglicht die Verarbeitung größerer Durchmesser- und Flächensubstrate im Vergleich zu Single-Platten-PECVD-Systemen. Der Crius 30 X 2 verfügt über eine 30 cm große Prozesskammer, die für eine gleichmäßige, kontrollierte Abscheidung von dünnen Schichten unter Verwendung plasmaverbesserter CVD zusammen mit computergesteuerten Prozessgrößen wie Druck, Substrattemperatur und Gasströmen ausgelegt ist. Es verfügt auch über einstellbare Arbeitskammerhomogenitätszonen, so dass Benutzer ihre Prozessbedingungen auf bestimmte Bereiche des Substrats verteilen können. Der PECVD-Prozess wird von einem patentierten 1,8 kW-Hochfrequenz (HF) -Leistungsgenerator mit 13,56 MHz angetrieben. Es ist entworfen, um abstimmbare HF-Leistung für beide Platten Elektroden und Substrat Vorspannung zur Verfügung zu stellen. Das System ermöglicht bis zu 100 Watt HF-Leistung pro Platte. Die Maschine umfasst eine fortschrittliche Software und Steuerung, die einfache Benutzeroberfläche, verbesserte Prozesskontrolle und automatisierte Qualitätsüberwachung bietet. Die Abscheideraten auf dem Crius 30 X 2 sind zwischen 0,1 und 10 Mikrometer/Minute einstellbar. Die Abscheideraten hängen von der Art des Substrats und den verwendeten Gasen ab. Die maximale Temperatur ist auf 350 ° C begrenzt, kann aber für bestimmte Substrate niedriger sein. Zusätzlich kann der PECVD-Prozess verwendet werden, um Mehrbestandteil, Mehrschicht dünne Filme mit der ausgezeichneten Reproduzierbarkeit abzulegen. Der Crius 30 X 2 ist auch sehr zuverlässig, da er mit Konstruktionsteilen ausgelegt ist, die durch präzise Ausrichtungsstifte verbunden sind, um eine überlegene Planheit und Wiederholbarkeit des Bettes zu gewährleisten. Sein modularer Aufbau macht Wartung und Service relativ einfach, und es ist für industrielle Produktionslinien geeignet. Abschließend ist AIXTRON Crius 30 X 2 ein fortschrittliches PECVD-System zur Abscheidung von qualitativ hochwertigen Dünnschichten, das unter Berücksichtigung von Zuverlässigkeit und Genauigkeit konzipiert wurde. Seine zwei Plattendesign ermöglicht größere und präzisere Substratverarbeitung als Single-Platen-Systeme, und seine einstellbaren Arbeitskammerhomogenitätszonen ermöglichen eine genauere Prozesskontrolle. Sein fortschrittlicher HF-Stromgenerator und seine Software machen ihn sowohl für industrielle Produktionslinien als auch für Laborforschung geeignet.
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