Gebraucht AIXTRON Crius 31x2" #9350512 zu verkaufen

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Hersteller
AIXTRON
Modell
Crius 31x2"
ID: 9350512
Weinlese: 2010
MOCVD System 2010 vintage.
AIXTRON Crius 31x2 ist ein Reaktor von AIXTRON GmbH, einem deutschen Hersteller von Spezialgeräten für die Halbleiterverarbeitung. Die Crius 31x2 ist eine Hochleistungs-Quarz-Metall-organische Dampfphasenepitaxie (MOVPE) -Ausrüstung, die zur Herstellung fortschrittlicher Halbleiter- und optoelektronischer Materialien verwendet wird. Es verfügt über vertikale und horizontale Gasströme, um die Abscheidung von großflächigen Substraten zu ermöglichen. Der Reaktor zeichnet sich durch hohen Durchsatz, geringe thermische Gradienten und geringe Substratschäden aus. Der Crius 31x2 hat zwei identische Chargenreaktoren, die jeweils aus einer Quarzwachstumskammer, zwei getrennten Gasfördersystemen und einem Quarzsubstrathalter bestehen. Die Wachstumskammer hat einen Durchmesser von 22cm und eine Länge von 90cm und kann bis zu zwei Substrate mit 4 Zoll oder drei Substraten mit 6 Zoll Durchmesser verarbeiten. Die Wachstumskammer ist mit einem AIXTRON CDS500 Digital System Controller, dem CDS600 Advanced Process Controller und Vital-View3x Software ausgestattet, um die für das MOVPE-Wachstum erforderlichen Parameter genau steuern zu können. AIXTRON Crius 31x2 bietet Anwendern eine hohe Ausbeute an fortschrittlichen Materialien mit einem deutlich höheren Durchsatz als andere MOVPE-Systeme. Es ist mit einer speziellen Gasverteilereinheit ausgestattet, die extrem niedrige thermische Gradienten innerhalb des Reaktors beibehält und Oberflächen- und Substratschäden reduziert. AIXTRON Crius 31x2 wurde erfolgreich für die Herstellung hochwertiger, hochleistungsfähiger Verbundhalbleitermaterialien und optoelektronischer Bauelemente wie LEDs, Laser, Photodetektoren und Solarzellen eingesetzt. Die Maschine wurde auch zur Abscheidung dünner Filme wie Dielektrika, Metalle und Legierungen eingesetzt. Insgesamt ist AIXTRON Crius 31x2 ein fortschrittlicher und zuverlässiger MOVPE-Reaktor, der hervorragende Leistung für die Herstellung optoelektronischer Geräte und anderer fortschrittlicher Materialien bietet. Die Kombination aus hohem Durchsatz, geringen thermischen Gradienten und geringen Substratschäden ermöglicht es Anwendern, hochwertige Hochleistungsmaterialien herzustellen.
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