Gebraucht AIXTRON Crius I #192608 zu verkaufen

Hersteller
AIXTRON
Modell
Crius I
ID: 192608
Reactor, 31x2 GaN Configured for 31x2, can be upgraded for 37x2, 8x4 or other configurations System has EpiCurve and Twin TT installed (2) RM 25S and (4) RM 6S thermal baths Source Configuration: TMGa-1, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, Cp2Mg-3, TMIn-1, TMIn-2, TMGa-2, and 4 spare source lines Currently installed 2008 vintage.
AIXTRON Crius I ist ein Mehrzweck-Epitaxiereaktor zur Abscheidung von Verbundhalbleiterfilmen. Es ist ein 300mm horizontales Kaltwand CVD-Werkzeug, ausgestattet mit mehreren Prozesstechniken wie LPCVD, PECVD, EPI und MBE. Crius I Kammern sind für einen weiten Bereich von Temperaturen ausgelegt, die eine Hochtemperatur (HT) -Abscheidung von bis zu 1000 ° C sowie eine Niedertemperatur (LT) -Abscheidung von bis zu 100 ° C ermöglichen. Die erweiterten Prozesskontrollfunktionen von AIXTRON Crius I ermöglichen eine präzise Dotierungssteuerung, eine enge Temperaturregelung, eine präzise Leistungsregelung und maßgeschneiderte Gasdurchflussraten. Crius I bietet robuste optische Überwachungsfunktionen mit Echtzeit-Foliendicke und Emissionsmessungen, die es dem Anwender ermöglichen, jede Prozessschicht zu überwachen und sicherzustellen, dass alle Folien höchsten Qualitätsstandards entsprechen. AIXTRON Crius I ist eine hochautomatisierte Plattform, mit der Benutzer Kammereinstellungen sowie Rezeptprofile konfigurieren und speichern können. Der Crius verfügt auch über zusätzliche Funktionen wie Closed-Loop-Feedback-Steuerung, ausfallsichere Mechanismen zur Verhinderung von Plasmabögen und eine Videoausrüstung, mit der der Benutzer die Prozesse in Echtzeit überwachen kann. Crius I bietet eine hervorragende Gleichmäßigkeit über mehrere Wafer mit einer maximalen Ungleichmäßigkeit über das Substrat von weniger als 1%. AIXTRON Crius I hat auch mehrere Optionen für Wafer-Handling und Kassetten, mit mehreren Wafer-Load-Ports für einzelne Wafer und Kassettenaustausch Möglichkeiten. Der Crius ist in der Lage, auf einzelnen oder mehreren Substraten in Batchläufen abzuscheiden. Crius I verfügt über ein dynamisches Wafer-Kühlsystem mit einzelnen oder mehreren Kühlzonen, die eine überlegene Wachstumsratenkontrolle und Spitzeneffizienz ermöglichen. AIXTRON Crius I verfügt zudem über einen integrierten Lader und Entlader für maximale Flexibilität und Produktivität. Abschließend ist Crius I ein 300mm Mehrzweckreaktor, der zur HT- und LT-Abscheidung fähig ist. Es ist eine robuste und gut entwickelte Plattform, die Präzision in der Dotierungssteuerung und Temperaturstabilität gewährleistet, so dass der Benutzer hochwertige Verbundhalbleiterfolien herstellen kann. Die erweiterten optischen Überwachungsfunktionen von AIXTRON Crius I, die dynamische Kühleinheit und die integrierte Lade-/Entlademaschine machen es zu einer guten Wahl für fortschrittliche Compound-Halbleiterabscheidungsprozesse.
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