Gebraucht AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4" #9358604 zu verkaufen

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ID: 9358604
Weinlese: 2014
MOCVD System Integrated Concept (IC-2) CCS MOVPE System GaN Based materials EDWARDS Scrubber GaNCat (4) cartridges ENTEGRIS N2 Purifier (2) Gas bottle storages 2014 vintage.
AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4 ist eine revolutionäre Reaktortechnologie, die speziell entwickelt wurde, um ein hocheffizientes Wachstum von GaN-auf-Silizium-Strukturen zu ermöglichen. Dieser Reaktor zeigt die neuesten Fortschritte in der aktuellen Generation des AIXTRON Crius Systems. Es ist in einem 19 x 4 Zoll Panel mit einer 15kW Lampe untergebracht. Es bietet ein Hochdruck-Datensystem und mit Xenon Mikrowelle induktiv gekoppelten Plasma, ist es in der Lage, bis zu 4200W von Leistung zu erzeugen. Dieser Hochleistungs-Crius II-XL ermöglicht auch eine effektive Spaltgeometrie von 1-5mm bei einer Größe von maximal 200mmx200mm für den Wafer. Der Reaktor ist mit einem High-Tech-elektronisch gesteuerten Suszeptor aus Platin (Pt) ausgestattet, um eine homogene und gleichmäßige Temperaturverteilung über die gesamte Oberfläche des Suszeptors zu gewährleisten. Der Suszeptor soll bis zu sechs Wachstumswafer gleichzeitig unterstützen und passt auf das hochgenaue AIXTRON Crius Temperaturregelmodul. Dies gewährleistet eine präzise Temperaturregelung des Suszeptors von 50 bis 600 ° C bei minimalen Temperaturabweichungen von bis zu ± 1 ° C. Der Reaktor enthält ferner einen Hochfrequenzgenerator nach dem Stand der Technik mit einer Standardbetriebsfrequenz von 13.56MHz und einem Pulsbetriebsmodus mit 0,2 bis 1Hz Impulsrate und 5 bis 60% Pulsbreite. Die 13,56 MHz Frequenz dieses HF-Generators wird von der 200V Quelle abgeleitet, um eine Gesamtleistung von mehr als 100W zu erzeugen. Dies gewährleistet optimale Betriebsbedingungen für maximale Abscheidegüte. AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4 ist ein effizienter, zuverlässiger Reaktor, der maximale Betriebseffizienz gewährleistet und dabei eine Vielzahl verfügbarer Prozessparameteroptionen nutzt. Mit seiner Multifunktionsfähigkeit ist dieser Reaktor eine großartige Lösung für Anwendungen, die Hochleistungsprozesse wie GaN-on-Silizium-Wafer-Wachstum erfordern. Diese Technologie bietet somit erhebliche Vorteile hinsichtlich Kosten, Effizienz und Zuverlässigkeit.
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