Gebraucht AIXTRON Crius #9302163 zu verkaufen

AIXTRON Crius
Hersteller
AIXTRON
Modell
Crius
ID: 9302163
MOCVD System With 6x2" dish GaN.
AIXTRON Crius ist ein Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reaktor, der bei der Herstellung von Halbleitern verwendet wird. Es ist bekannt für seine große Bearbeitungskammergröße, so dass große Substrate sofort bearbeitet werden können. Dies trägt zur Verkürzung der Produktionszeiten bei und erhöht letztlich die Effizienz und den Durchsatz von Produkten. Der Reaktor ist mit einer Mehrkammerarchitektur aufgebaut, so dass mehrere verschiedene Substrate gleichzeitig mit unterschiedlichen Parametern verarbeitet werden können. Die Kammergröße ist groß genug, um mehrere 200mm oder 150mm Substrate zusammen mit mehreren anderen kleineren Substraten zu passen. Crius ist mit modernster HF-Quelltechnologie ausgestattet, mit der das reaktionsfähige Plasma erzeugt wird. Die HF-Quelle wird durch eine 14-Kapazität, Dual-Frequenz-Stromversorgung, die eine 10 KW Gesamtleistung unterstützt. AIXTRON Crius verfügt auch über eine Reihe von Konfigurationen für die Prozessgasförderung, darunter zwei Verteilergasinjektoren und eine Umgebungsgasversorgung der Abscheidezone. Darüber hinaus verfügt der Reaktor über ein fortschrittliches Rückkopplungssteuerungssystem, um eine konsistente Leistung und optimierte Betriebsparameter zu gewährleisten. Crius bietet auch hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit, mechanische Stabilität und Vakuumsystemfunktionen. Es ist in der Lage, Temperaturen innerhalb 40 ° C des Sollwertes über alle Prozesskammern zu halten, unter allen Umständen. Zusätzlich ist der Reaktor mit einer aktiven Kammerhöhenverstellung ausgestattet, um unterschiedliche Substratgrößen zu berücksichtigen, so dass die Prozessgleichförmigkeit konstant bleibt. AIXTRON Crius verfügt auch über eine ölfreie Flüssigstickstoffpumpe, die ihm ein Vakuum von bis zu 5 x 10⁻⁸ mbar verleiht. Insgesamt ist Crius ein zuverlässiges Halbleiterherstellungswerkzeug, das vielseitige Verarbeitungsfähigkeiten, fortschrittliche Rückkopplungssteuerungssysteme, ausgezeichnete Temperaturgleichmäßigkeit und mechanische Stabilität und ein Vakuumsystem bietet, das 5 x 10⁻⁸ mbar erreichen kann. Seine große Bearbeitungskammergröße ermöglicht die gleichzeitige Bearbeitung großer Substrate und sorgt für eine Erhöhung des Durchsatzes.
Es liegen noch keine Bewertungen vor