Gebraucht AIXTRON G3 2600 #9214303 zu verkaufen

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Hersteller
AIXTRON
Modell
G3 2600
ID: 9214303
Wafergröße: 4"
Weinlese: 2007
MOCVD Systems, 4" LED for GaN Wafer size : 4" x 8", 2" x 24" Heating type: RF Induction heater Epi-tune: In-situ reflectance spectra MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl Operating system: Windows Gas system: Gas line: VCR Type MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3 Carrier gas: H2 Flow 70L/min; N2 flow 70L/min Vacuum system: Process pump: EBARA ESA25D Filter: Exhaust gas filter with separate water cooling unit Pressure control: MKS651 Controller, throttle valve Cooling system: Cooling liquid: Water Maximum inlet pressure: < 6 Bar Differential pressure: > 4 Bar Inlet temperature: < 25º C Outlet temperature: < 65º C Includes: GMS Cabinet Reactor cabinet Exhaust and chamber Scrubber RF Generator Particle filter Pump Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3 Phase 2007 vintage.
AIXTRON G3 2600 ist ein Reaktor zur Herstellung von Halbleitern der nächsten Generation, der es der Industrie ermöglicht, leistungsstarke kommerzielle Halbleiterbauelemente herzustellen. AIXTRON G3 ist ein plasmaverbesserter chemischer Dampfabscheidungsreaktor (PECVD), der eine Form der Abscheidungstechnologie zur Abscheidung von Dünnschichtmaterialien wie Oxid, Nitrid und Polysilizium auf einem Substrat in Hochtemperaturumgebungen darstellt. Dieser Reaktor wird spezifisch entworfen, um den High-End-Halbleiterwachstumsanforderungen von modernen Halbleiterfertigungsverfahren zu entsprechen. G3 2600 nutzt fortschrittliche Funktionen wie mehrere Hochfrequenzkanäle (Hochfrequenzkanäle), One-Click Model Control (OMC) und eine hocheffiziente Dual-Plasma-Quelle, um die Gleichmäßigkeit und Prozesskontrolle zu maximieren. Die mehrfachen HF-Kanäle ermöglichen die Steuerung verschiedener Reaktorparameter, einschließlich Druck, Temperatur und Radikaldichte, was eine genaue Überwachung der Reaktorumgebung ermöglicht. OMC vereinfacht den Prozessaufbau und reduziert das Risiko, während die hocheffiziente Dual-Plasma-Quelle für Gleichmäßigkeit über mehrere Wafersubstrate sorgt. AIXTRON G3 2600 verfügt auch über eine 11-Zonen- FP-Al2O3 Ausrüstung, die das Risiko von Partikeln während des Abscheidungsprozesses erzeugt reduziert. Dieses FP-Al2O3 System enthält eine kundenspezifische keramische Auskleidung, die den Partikelgehalt reduziert und gleichzeitig eine verbesserte Wärmeableitung ermöglicht. Darüber hinaus ermöglicht die fortschrittliche Temperaturregelung eine präzise Überwachung der Reaktantentemperatur mit einer Genauigkeit von bis zu 0,1 ° C. Neben seinen Vorteilen in der Prozesssteuerung und Gleichmäßigkeit bietet das G3 2600 auch eine Reihe weiterer Merkmale. Dazu gehört eine eingebaute Entgasungsmaschine, die unerwünschte Luft, Sauerstoff und flüchtige organische Verbindungen (VOCs) aus der Reaktorumgebung entfernt, um die Reinheit und die Produktionsgeschwindigkeit zu verbessern. AIXTRON G3 2600 ist ein robustes und zuverlässiges Reaktorwerkzeug, das eine hervorragende Schrittabdeckung und Gleichmäßigkeit bietet und gleichzeitig die Anforderungen an das High-End-Halbleiterwachstum moderner Halbleiterherstellungsprozesse erfüllt. Mit seinen fortschrittlichen Eigenschaften, der präzisen Prozesssteuerung und der hohen Produktionsrate ist G3 2600 eine ideale Wahl für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.
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