Gebraucht AIXTRON G3 #9066893 zu verkaufen
Es sieht so aus, als ob dieser Artikel bereits verkauft wurde. Überprüfen Sie ähnliche Produkte unten oder kontaktieren Sie uns und unser erfahrenes Team wird es für Sie finden.
Tippen Sie auf Zoom
Verkauft
ID: 9066893
Wafergröße: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer Size : 4" x 8 , 2" x 24
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
Gas: N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Gas System:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum System:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Software OS; Window
Voltage: 208 V AC, 3-Ph
Power: System: 25 kVA, Heater: 144 kVA
Frequency: 50/60 Hz
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
2005-2007 vintages.
AIXTRON G3 ist ein chemischer Dampfabscheidungsreaktor, der entwickelt wurde, um fortschrittliche funktionelle Materialien anzubauen. Die AIXTRON G 3 Prozesskammer eignet sich für das Wachstum einer breiten Palette von Materialien, darunter hochmobile Metalle, Dielektrika und Halbleiter, und verfügt über eine Reihe fortschrittlicher Technologien, insbesondere hohe Prozessflexibilität, eine vollständige Palette von Gassteuerung und eine hochintuitive Benutzeroberfläche. AIXTRON G3process Kammer ist in der Lage, bis zu vier Wafer in linearer Konfiguration mit einer Gesamtkapazität von bis zu 8 Wafern (6-Zoll oder 4-Zoll) mit einem einzigen Substrathalter unterzubringen. Die Flexibilität von G3 ermöglicht das Wachstum einer Vielzahl von Materialien von Aluminium bis Silizium auf einer Vielzahl von Wafertypen. Der Wafertemperaturbereich liegt zwischen Raumtemperatur und 500 Grad Celsius für das Wachstum von III-V, Übergangsmetalloxiden und Metallen. G 3 verfügt über eine Passiv-Ionen-Pumpe Pumpen-Down-System mit einer Dreifach-Wandkonstruktion, die Verschmutzungen aus äußeren Quellen beseitigt. Es bietet auch Mehrzonen-Temperaturregelung und Temperatur überwacht Gasfluss, so dass unabhängige Prozesssteuerung und unabhängige Temperaturregelung von verdampften Materialien. Alle Prozessparameter sind einstellbar, so dass der Anwender die Wachstumsbedingungen präzise steuern kann. AIXTRON G3 enthält ein erweitertes benutzerfreundliches Softwarepaket, das gut organisierte, einfach verständliche grafische Benutzeroberflächen (GUI) bietet. Dies hilft dem Anwender, den Prozess bequem zu steuern, ohne sich um komplexe Prozesse oder Programmierung zu kümmern. Das Softwarepaket integriert auch alle Sicherheitscodes, um einen sicheren Betrieb des Prozesses und maximalen Schutz des Substrats zu gewährleisten. AIXTRON G 3 ist eine gute Wahl für den Anbau einer Vielzahl von Materialien auf einer breiten Palette von Wafertypen mit einer hohen Präzision. Es könnte als wirksames Instrument für Forschung und industrielle Anwendungen eingesetzt werden. Diese Spitzentechnologie bietet eine einzigartige Möglichkeit, fortschrittliche Materialien zu erstellen und einen Schritt nach vorn in der Entwicklung von Hochleistungsprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten.
Es liegen noch keine Bewertungen vor