Gebraucht AIXTRON G3 #9074580 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9074580
GaN systems
Dopants: Cp2Mg, SiH4
Transfer: load lock only
Wafer loading capabilities: (24) 2” or (8) 4”
CACE software
EpiTune (in-situ monitoring)
Facility requirements:
Gas specification:
N2 – 4VCRF – 4.0 ~ 7.0 bar
H2 – 4VCRF – 4.0 ~ 7.0 bar
NH3 – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
SiH4/H2(200ppm) – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
HCL – 4VCRF – 3.0 ~ 3.5 bar
GN2(N2 tech) – 4VCRF – 7.0 ~ 8.5 bar
Wafer specification:
System:
Inlet – 6.5 bar (maximum) 1" Swagelok bulkhead
Minimum total flow 63 l/m
Temp - 17°C ~ 25°C stability ± 1°C
Outlet – 2.5 bar (maximum) 1” Swagelok bulkhead pump loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Inlet – 6 bar(Maximum) 3/4” Swagelok bulkhead
Minimum total flow 50 l/m
Temp - 20°C stability ± 1°C
Outlet – 2 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead reactor loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Maximum temp – 40°C
RF generator:
Inlet – 6 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead
Minimum total flow 36 l/m
Outlet – 2 bar (maximum) 3/4” Swagelok bulkhead reactor loop
Minimum differential pressure 4 bar for required flow
Electrical requirements:
Voltage: System: 208 V, RF generator: 380 V
Current: System: 80A (customer 100A), RF generator 250A (customer 315A)
Frequency: 60 Hz
Wiring requirement: System: 3/N/PE, RF generator: 3/PE
Main power location: E-rack
UPS input location: internal to E-rack, provided as spare
Exhaust specifications:
Total cabinet exhaust requirement: GMS (750m3/h) (2ea) Reactor (500m3/h) (2ea)
TGA exhaust requirement:
- Process gas exhaust connected to scrubber DN40KF flange,
50~100mm below top of glovebox open line for continuous flow
HE-leak tight ≤ 10E-9 mbar l/s
Oxygen < 1ppm
Line pressure atm > p > atm – 20mbar
- Exhaust GB pump, 3/8” Swagelok
- Exhaust Forming gas, 3/8” Swagelok.
AIXTRON G3 ist ein fortschrittlicher metall-organischer chemischer Aufdampfreaktor (MOCVD), der für Halbleiteranwendungen wie die Herstellung von Leuchtdioden (LED) -Chips verwendet wird. AIXTRON G 3 ist eine robuste Plattform mit einer langen Lebensdauer, die zum Teil auf das proprietäre SplitFlow-Design zurückzuführen ist. SplitFlow ist ein patentiertes Dual-Flow-Liefersystem, das bei der Überwindung von Leistungsgrenzen wie Temperatur- und Abscheidehomogenität hilft und gleichzeitig weniger Quellen verwendet und niedrigere Betriebskosten ermöglicht. Mit SplitFlow werden Gase getrennt und an mehrere Stellen eingespritzt, wodurch ein kürzerer Strömungsweg zum Substrat entsteht und die chemische Kontaktzeit reduziert wird. Dies kann zur Erhöhung der Prozessreproduzierbarkeit und -effizienz beitragen. G3-Reaktor ist auch in der Lage, hohe Kammerdrücke von bis zu 500 Millibar, ermöglicht eine schnelle Filmbildung und dickere Abscheidung ohne Beeinträchtigung der Gleichmäßigkeit. Um die Gleichmäßigkeit zu gewährleisten, verfügt G 3 über DualPlay, das Gasförder- und Temperaturregelungsmanagement über zwei unabhängig programmierbare Temperaturregler und zwei Rollläden kombiniert. Dies hilft, eine konsistente Umgebung im gesamten Reaktor zu schaffen, die für den Anbau von Kristallen und Dünnschichtschichten erforderlich ist. AIXTRON G3 verfügt über drei individuell gewachsene, ultrastabile Linearmotorstufen für präzise Substratmanipulation. Die Stufen bieten niedrige thermische Drift für hohe Positionsgenauigkeit und eine minimale Steigung von 0,5 Mikrometer. AIXTRON G 3 verfügt auch über die Advanced Process Control Suite, eine Reihe intelligenter Algorithmen zur Optimierung der Leistung von Ablagerungsrezepten. Der G3-Reaktor ist ein zuverlässiger Halbleiterreaktor, der für hohe Präzision, Genauigkeit und Wiederholbarkeit ausgelegt ist. Das SplitFlow-Design ermöglicht dünnere Folien, verbesserte Gleichmäßigkeit und höhere Effizienz dank kürzerer Strömungswege und geringerer Betriebskosten. Sein hoher Kammerdruck ermöglicht eine dicke Filmbildung und die Temperaturregelung wird über DualPlay verwaltet, wodurch einheitliche Bedingungen für das Wachsen von Kristallen und Dünnschichtschichten gewährleistet sind. Die drei linearen Stufen bieten eine hohe Positionsgenauigkeit, und die Advanced Process Control Suite hilft bei der Feinabstimmung des gesamten Prozesses.
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