Gebraucht AIXTRON G3 #9163470 zu verkaufen

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AIXTRON G3
Verkauft
Hersteller
AIXTRON
Modell
G3
ID: 9163470
MOCVD System.
AIXTRON G3 ist ein innovativer lasergetriebener, horizontaler Niederdruck-CVD-Reaktor (Cold Wall Chemical Vapour Deposition) für die Herstellung von Halbleitermaterialien. Der Reaktor ist der weltweit erste, der dank der leistungsstarken AIXTRON Laserausrüstung eine präzise Steuerung von Wachstumsrate, Temperatur, Sauerstoffkonzentration und Abscheidungsgleichmäßigkeit kombiniert. AIXTRON G 3 ist in der Lage, eine Vielzahl von Materialien zu verarbeiten, darunter Si, SiGe, InP, III-V-Nitride und Oxide bei Temperaturen von Raumtemperatur bis 930 ° C. Es eignet sich auch für kleinflächige Epitaxie und eignet sich somit ideal für die Herstellung von hochleistungsfähigen integrierten photonischen Komponenten. Der Reaktor besteht aus einer Edelstahl-Vakuumkammer mit eingebautem Zweizonen-Prozessflansch, einem AIXTRON-Lasersystem, einem Kühler, einem Quarzfenster und einer Steuereinheit. Innerhalb der Prozesskammer befinden sich zwei Fächer: eine „kalte Wand“ und eine „heiße Zone“. Die Kaltwand steuert die Substrattemperatur, während die heiße Zone zur Abscheidung verwendet wird. AIXTRON Lasereinheit ist die Schlüsselkomponente mit G3. Es verwendet zwei spezialisierte Laserstrahlen, um den Gasfluss genau zu steuern und den gewünschten Leistungspegel für die Abscheidung zu erzeugen. Die Steuereinheit ermöglicht Flexibilität bei der Einstellung von Wachstumsraten, Temperatur, Sauerstoffkonzentration und Abscheidungsgleichmäßigkeit. Außerdem sorgt der Kühler dafür, dass die Substrattemperatur im gewünschten Bereich gehalten wird. G 3 ist eine vielseitige und leistungsstarke, aber einfach zu bedienende Maschine, die immer hochwertige Materialien liefert. Es bietet reproduzierbare Prozessbedingungen und zuverlässiges partikelfreies Wachstum bei sehr geringer Fehlerdichte. Dieser fortschrittliche CVD-Reaktor eignet sich für Forschung und industrielle Anwendungen in Bereichen wie optoelektronische und MEMS-Geräte. Es verschiebt derzeit die Grenzen in Bereichen wie integrierte Photonik, wo es erwartet wird, eine große Wirkung zu haben.
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