Gebraucht AIXTRON G5 HT #193899 zu verkaufen

AIXTRON G5 HT ist ein revolutionärer, hochleistungsfähiger Metall-Organische Chemische Dampfabscheidung (MOCVD) Reaktor, der für das Wachstum von III-V, II-VI und Verbundhalbleitermaterialien verwendet wird. AIXTRON G5HT wurde von AIXTRON entwickelt und hergestellt und ist ideal für den Anbau von GaAs, InGaAs, InP, GaN, AlGaN und verwandten Materialien in optoelektronischen Geräten wie Lasern, LEDs und Laserdioden. G5 HT ist ein horizontales Reaktordesign, das ein großes Kammervolumen mit 50 mm und 75 mm Substraten bietet. Maximale Substratgrößen von 615mm und 1000mm können untergebracht werden. Für eine höhere Kristallqualität verfügt G5HT über einen einzigartigen patentierten homogenen und sehr geringen Eigentransport von Ausgangsmaterial über ein verbessertes Gasflussdesign, wodurch die Materialabscheidungsgleichförmigkeit über das gesamte Substrat erhöht wird. Das Gehäuse des Reaktors besteht aus hochwertigem Edelstahl und bietet eine optimale gleichmäßige Erwärmung für eine verbesserte Kristallqualität. AIXTRON G5 HT ist eine zuverlässige Quelle für fortschrittliche Halbleitermaterialien und bietet Kristallinität, Gleichmäßigkeit, Oberflächenmorphologie und Geräteleistung. Es umfasst mehrere Quellen, wie beheizte Clusterkartuschen, unbegrenzte Quellen, Blasen, Flüssigkeitseinspritzquellen und Hochfrequenzquellen, die Hochtemperatur- und Tieftemperaturprozesse ermöglichen. AIXTRON G5HT ist auch in der Lage, fortschrittliche Oxidationsprozesse und Dual-Partikel-Strahlenbelastung durchzuführen. Darüber hinaus verfügt G5 HT über eine breite Palette von Hard- und Software-Tools zur kompletten thermischen, optischen und Prozesssteuerung für noch mehr Vielseitigkeit. Dazu gehören Laserinterferometer, Reflexion hochenergetische Elektronenbeugungsmuster-Überwachung, Massenspektrometer, Drucksensoren, Sauerstoffsensoren, sowie AIXTRON proprietäre AIMS™ Software. Alle diese Merkmale verbinden sich zu einem leistungsstarken, zuverlässigen MOCVD-Reaktor, der in der Lage ist, hochleistungsfähiges Material mit hoher Ausbeute für eine Reihe von optoelektronischen und Verbundhalbleiterbauelementen herzustellen.