Gebraucht AIXTRON / GENUS Stratagem 200 #293766751 zu verkaufen

ID: 293766751
Wafergröße: 4"-8"
Atomic Layer Deposition system (ALD), 4"-8" Process thickness: 2mm-10mm Substrate limitations: Si and Ge (2) Process chambers: High dielectric constant dielectric layer film deposition (HfO2, Al2O3) Metal film deposition (TiN).
AIXTRON/GENUS Stratagem 200 ist ein CVD-Reaktor, der für das epitaktische Wachstum fortschrittlicher Halbleitermaterialien bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen wie integrierten Schaltungen und optoelektronischen Bauelementen entwickelt wurde. Dieser Reaktor ist in der Industrie für seine außergewöhnliche Leistung, Präzision und Zuverlässigkeit bei der Herstellung hochwertiger dünner Folien mit hervorragenden Eigenschaften hoch angesehen. Herzstück des GENUS Stratagem 200 Reaktors ist sein fortschrittliches Prozessleitsystem, das eine präzise Steuerung von Schlüsselparametern wie Temperatur, Druck, Gasdurchflussraten und Substratdrehzahl ermöglicht. Diese Steuerung ist entscheidend für ein gleichmäßiges und reproduzierbares Filmwachstum, insbesondere bei der Herstellung komplexer Mehrschichtstrukturen mit engen Toleranzen. Die Reaktorkammer von AIXTRON Stratagem 200 besteht aus hochwertigen Materialien, die hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen standhalten. Die Kammer ist so konzipiert, dass sie eine stark kontrollierte Umgebung für den Abscheidungsprozess bietet, die eine effiziente Gasmischung, eine gleichmäßige Wärmeverteilung und eine minimale Verschmutzung der Substratoberfläche gewährleistet. Der Reaktor ist mit mehreren Gaseinlässen ausgestattet, die die Einführung einer Vielzahl von Vorläufergasen und Dotierstoffen ermöglichen, die für das Wachstum verschiedener Halbleitermaterialien erforderlich sind, einschließlich III-V-Verbindungen, II-VI-Verbindungen und Materialien auf Siliziumbasis. Die genaue Abgabe dieser Gase ist wesentlich, um die gewünschten Filmeigenschaften und Kristallqualität zu erreichen. Eines der Hauptmerkmale des Stratagem 200 Reaktors ist sein fortschrittliches Heizsystem, das eine schnelle und gleichmäßige Erwärmung des Substrats auf die gewünschte Wachstumstemperatur ermöglicht. Dies trägt zur Minimierung der thermischen Belastung des Substrats bei und fördert die Bildung hochwertiger Epitaxieschichten mit ausgezeichneter struktureller Integrität. Der Reaktor beinhaltet auch ein ausgeklügeltes Wafer-Handling-System, das das automatisierte Be- und Entladen von Substraten ermöglicht, die Eingriffe des Bedieners minimiert und für jeden Wachstumslauf konsistente Verarbeitungsbedingungen gewährleistet. Diese Funktion ist für Produktionsumgebungen mit hohem Durchsatz unerlässlich, in denen Effizienz und Wiederholbarkeit von größter Bedeutung sind. Der AIXTRON/GENUS Stratagem 200 Reaktor ist zusätzlich zu seinen fortschrittlichen Funktionen für Prozesssteuerung und Automatisierung mit Vor-Ort-Überwachungs- und Diagnosetools ausgestattet, mit denen Bediener wichtige Prozessparameter in Echtzeit überwachen und bei Bedarf sofort anpassen können. Diese Echtzeit-Rückkopplungsschleife sorgt für optimale Filmwachstumsbedingungen und hilft, die Entstehung von Defekten zu verhindern, die die Geräteleistung beeinträchtigen können. Insgesamt ist der GENUS Stratagem 200 Reaktor ein vielseitiges und zuverlässiges Werkzeug für das epitaktische Wachstum von Halbleitermaterialien und bietet branchenführende Leistung, Präzision und Produktivität für die Herstellung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Bauelemente. Seine fortschrittlichen Eigenschaften und Fähigkeiten machen es zu einer bevorzugten Wahl für führende Forschungseinrichtungen und Halbleiterhersteller, die die Grenzen der Materialwissenschaft und Gerätetechnologie verschieben möchten.
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