Gebraucht AIXTRON TS CCSH30*2" #9167080 zu verkaufen

AIXTRON TS CCSH30 * 2 ist ein horizontaler Einwafer-Halbleiterreaktor mit einem keramisch beschichteten Graphit-Suszeptor. Es ist für die Bearbeitung von bis zu acht Wafern gleichzeitig konzipiert und ermöglicht die effiziente Herstellung von optoelektronischen Dünnschichtbauelementen auf Verbindungshalbleiterbasis und anderen optoelektronischen Bauelementen, die komplexe Gitterstrukturen und Dotierungen erfordern. Der Reaktor kombiniert eine fortschrittliche AIXTRON RF-induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP) mit fortschrittlichen Konstruktionsmerkmalen, um einen überlegenen Durchsatz und eine präzise Kontrolle der Abscheidungsprozesse zu gewährleisten. AIXTRON TS CCSH30 * 2 Reaktor verfügt über CVD-Technologie, die in der Lage ist, Schichten abzuscheiden und Strukturen so dünn wie 10 Nanometer Dicke zu produzieren. Bei der Abscheidung wird ein dreiprozessuales, gleichstrominduktives gekoppeltes Plasma (DCIP) -Verfahren verwendet, das dem Reaktor die Fähigkeit gibt, die erforderlichen CVD-produzierenden Gase und Sauerstoff genau in die Reaktionskammer zu liefern. Die ICP-Quelle verfügt über einen Hochleistungsgenerator, der bis zu 550 W Leistung an die Reaktionskammer liefern kann. Das Abscheidungsverfahren verwendet eine Kombination aus einem Suszeptor und bis zu acht Wafern gleichzeitig. Der Suszeptor wird bis zu einer horizontalen Plattform gehalten, die eine einstellbare Höhe und Breite aufweist. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung der Höhe und des Abstandes zwischen Wafern, wodurch Abscheideprozesse mit gleichmäßiger Filmdicke über alle Wafer gewährleistet werden. Die Reaktionskammerkonstruktion fördert auch die homogene Verarbeitung, die eine hocheffiziente Gasrückkopplungssteuerung verwendet, um sicherzustellen, dass Abscheidevorgänge äußerst präzise und wiederholbar sind. Die Kammer ist mit eingebauter Luftfeuchtigkeit und Temperaturregelung sowie einer Vakuumisolierung ausgelegt. Dadurch wird eine gleichmäßige Abscheidung über die gesamte Oberfläche des Wafers gewährleistet. AIXTRON TS CCSH30 * 2 Reaktor ist für die Verarbeitung einer Vielzahl von Substraten, einschließlich Si, GaN und GaAs, konzipiert und kann für den Betrieb in einer Einzel- oder Mehrprozesskammerumgebung konfiguriert werden. Seine benutzerfreundliche Schnittstelle bietet eine Vielzahl von Einstellungen, die eingestellt werden können, um eine optimale Substrat- und Oxidabscheidung zu gewährleisten. AIXTRON TS CCSH30 * 2 Reaktor ist das perfekte Werkzeug für die Herstellung komplexer optoelektronischer Dünnschichtgeräte. Es verfügt über ein innovatives Design, das einen hohen Durchsatz, eine präzise Kontrolle der Abscheideprozesse und gleichmäßige Filmdicken ermöglicht. Es ist die ideale Wahl für Verfahrenstechniker, die ein Werkzeug suchen, um Dünnschichtgeräte mit höchsten Qualitätsstandards effektiv und effizient zu erstellen.